巴斯夫杉杉电池材料有限公司李旭获国家专利权
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龙图腾网获悉巴斯夫杉杉电池材料有限公司申请的专利一种单斜相层状锰酸锂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116835657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210303614.1，技术领域涉及：C01G45/1228；该发明授权一种单斜相层状锰酸锂及其制备方法是由李旭;苏安;李娟;胡进设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单斜相层状锰酸锂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单斜相层状锰酸锂及其制备方法，单斜相层状锰酸锂使用CuKα射线进行XRD测试，在18.3±1.0°出现对应于001晶面的第一衍射峰，峰强为I001，在33.0±1.0°出现对应于201晶面的第二衍射峰，峰强为I201，0.10＜I201I001＜0.20。制备方法包括以下步骤：1称取锂源、锰源以及掺杂剂，与水混合得到浆料，搅拌研磨；2喷雾干燥，收集粉料；3通入保护气体，高温固相烧结，粉碎。本发明层状锰酸锂抑制了201晶面的生长，使得I201I001减小，能在充放电过程中，有效改善在Li+嵌入脱出过程中由Jahn‑Teller畸变现象引起的Mn溶出；通过烧结形成了高单斜层状LiMnO2结构，降低了锂锰混排度，有效提升了容量。
本发明授权一种单斜相层状锰酸锂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单斜相层状锰酸锂，其特征在于，所述单斜相层状锰酸锂使用CuKα射线进行XRD测试，在18.3±1.0°出现对应于001晶面的第一衍射峰，峰强为I001，在33.0±1.0°出现对应于201晶面的第二衍射峰，峰强为I201，0.10＜I201I001＜0.20； 所述单斜相层状锰酸锂在15.3±1.0°出现对应于010晶面的第三衍射峰，峰强为I010，0＜I010I001＜0.25； 所述单斜相层状锰酸锂的化学式为LinMnaMbO2-cZc，0.80≤n≤1.2,0.8≤a≤1.2,0b≤0.1,0≤c≤0.05，且0.80≤na+b≤1.20，M为掺杂的金属元素，Z为掺杂的非金属元素。
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