买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于场发射阴极的丝束同轴熔丝增材制造设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116871649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311043164.8，技术领域涉及：B23K15/00；该发明授权一种基于场发射阴极的丝束同轴熔丝增材制造设备是由冀千瑜;郭文华;卢秉恒;张祎辉设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于场发射阴极的丝束同轴熔丝增材制造设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于场发射阴极的丝束同轴熔丝增材制造设备，包括设置在真空室中的丝束同轴场发射阴极电子枪、三维运动平台和控制系统，丝束同轴场发射阴极电子枪设置三维运动平台上方，丝束同轴场发射阴极电子枪出口正对三维运动平台上的成型基板，控制系统与真空室、丝束同轴场发射阴极电子枪、三维运动平台连接用于实现对丝束同轴场发射阴极电子枪送丝量、发射电流、束斑大小的控制，实现对三维运动平台运动方向的控制，实现对真空室中真空度的控制；本发明的增材制造设备结构简单，控制方便，成型的零件质量高。

本发明授权一种基于场发射阴极的丝束同轴熔丝增材制造设备在权利要求书中公布了：1.一种基于场发射阴极的丝束同轴熔丝增材制造设备，其特征在于，包括设置在真空室3中的丝束同轴场发射阴极电子枪1、三维运动平台和控制系统2，丝束同轴场发射阴极电子枪1设置在三维运动平台上方，丝束同轴场发射阴极电子枪1出口正对三维运动平台上的成型基板214，控制系统2与真空室3、丝束同轴场发射阴极电子枪1、三维运动平台连接用于实现对丝束同轴场发射阴极电子枪1送丝量、发射电流、束斑大小的控制，实现对三维运动平台运动方向的控制，实现对真空室3中真空度的控制；丝束同轴场发射阴极电子枪1采用环形块体场发射阴极； 控制系统2包括丝束同轴电子枪控制系统20、成型控制系统21及真空控制系统22，丝束同轴电子枪控制系统20与丝束同轴场发射阴极电子枪1连接用于实现对丝束同轴场发射阴极电子枪1送丝量、发射电流、束斑大小的控制；成型控制系统21与三维运动平台连接用于实现对三维运动平台运动方向的控制；真空控制系统22与真空室3连接用于实现对真空室3中真空度的控制； 丝束同轴电子枪控制系统20包括送丝控制系统201、高压电源控制系统202及聚焦控制系统203，送丝控制系统201与送丝机109连接用于控制送丝机109将金属丝材110送入丝束同轴场发射阴极电子枪1中；高压电源控制系统202的输出端通过高压电缆与阴极底座103、栅极104、阳极105连接用于通过调节栅极电压来控制发射电流；聚焦控制系统203通过控制电路与聚焦线圈106及高压电源控制系统202连接用于通过读取阴极、栅极电压信号来调整聚焦线圈电流实现束斑大小控制； 环形块体场发射阴极包括阴极底座103和环形阵列式阴极107，环形阵列式阴极107连接在阴极底座103孔洞周围并朝向阳极105设置，环形阵列式阴极107底部端面与栅极顶部端面之间距离为0.2mm-1mm，栅极104和阳极105之间距离为5mm-10mm，阴极底座103连接负高压电源接口，阳极105接地； 环形阵列式阴极107为块体石墨烯场发射阴极或者块体石墨烯碳纳米管复合场发射阴极组成的正N边形阵列式阴极，N3，将N块块体场发射阴极沿长度方向连接得到正N边形阵列式阴极，其中，块体石墨烯场发射阴极采用高质量石墨烯冷压成型得到；块体石墨烯碳纳米管复合场发射阴极采用碳纳米管和高质量石墨烯混合冷压成型得到；其中，高质量石墨烯是指层数2-5层，缺陷比为0.08-0.2，CO原子比为32.25-76.92的石墨烯粉体；单个块体场发射阴极的高度为10mm-15mm，宽度2mm-4mm，厚度为300μm-500μm，发射电流为5mA-10mA。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。