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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利有机发光晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116965171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280000276.2，技术领域涉及：H10K50/30；该发明授权有机发光晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置是由孙孟娜;张娟;焦志强设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本有机发光晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置在说明书摘要公布了：本公开是关于一种有机发光晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置，在电子传输层7远离衬底基板1的一侧设有至少部分第一微纳光栅结构71，使得第一电极8远离衬底基板1的一侧形成至少部分第二微纳光栅结构82，第一微纳光栅结构71和第二微纳光栅结构82能减小波导效应面内的波矢量，从而可有效降低平面内的波矢量，当平面内的波矢量小于自由空间内的波矢量时，从而将激发等离子体模式转化为可出射模式，可有效提取出射光。这样一来，能有效减少OLET表面等离子体模式造成的能量损耗，提高OLET的发光效率。

本发明授权有机发光晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种有机发光晶体管，其特征在于，包括： 衬底基板； 有源层，设于所述衬底基板的一侧； 空穴传输层，设于所述有源层远离所述衬底基板的一侧； 发光层，设于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧； 电子传输层，设于所述发光层远离所述衬底基板的一侧，所述电子传输层远离所述衬底基板的一侧设有至少部分第一微纳光栅结构； 第一电极，设于所述电子传输层远离所述衬底基板的一侧，所述第一电极远离所述衬底基板的一侧设有至少部分第二微纳光栅结构，所述第二微纳光栅结构在所述衬底基板的正投影位于所述第一微纳光栅结构在所述衬底基板的正投影内； 所述电子传输层远离衬底基板的一面具有间隔设置的第一区域和第二区域，所述电子传输层远离所述衬底基板的一面的部分区域为平面区域，所述平面区域的两侧对称设置所述第一区域和所述第二区域，所述第一微纳光栅结构位于所述第一区域，所述第一电极设于所述第一微纳光栅结构上，所述第二区域设有第三微纳光栅结构，所述有机发光晶体管还包括： 第二电极，设于所述第三微纳光栅结构上，所述第二电极远离所述衬底基板的一侧设有第四微纳光栅结构，所述第四微纳光栅结构在所述衬底基板的正投影位于所述第三微纳光栅结构在所述衬底基板的正投影内。

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