电子科技大学吴双红获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于硫系玻璃基底的高透光率远红外液晶光学相控阵获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116974107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310967362.7，技术领域涉及：G02F1/1335；该发明授权一种基于硫系玻璃基底的高透光率远红外液晶光学相控阵是由吴双红;李炳文;汪相如;王宇东设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硫系玻璃基底的高透光率远红外液晶光学相控阵在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于硫系玻璃基底的高透光率远红外液晶光学相控阵，涉及液晶光学相控阵技术，其目的在于解决现有的液晶光学相控阵透过率较低的问题，包括：上基板、液晶分子层和下基板；上基板包括：上基板外表面远红外增透膜、上基板硫系玻璃、上基板内表面远红外增透膜、上公共电极和上取向层；下基板包括：下取向层、下光栅电极、下基板内表面远红外增透膜、下基板硫系玻璃、下基板外表面远红外增透膜。在上下基板中设置远红外高透光率的硫系玻璃，并在硫系玻璃的上下表面镀有的远红外高透过率光学增透膜层，硫系玻璃与远红外高透过率光学增透膜层构成液晶光学相控阵，使液晶光学相控阵具有透过率高、响应速度快、驱动控制简单等优点。
本发明授权一种基于硫系玻璃基底的高透光率远红外液晶光学相控阵在权利要求书中公布了：1.一种基于硫系玻璃基底的高透光率远红外液晶光学相控阵，包括：上基板、液晶分子层6和下基板；其特征在于：上基板自上至下依次包括：上基板外表面远红外增透膜1、上基板硫系玻璃2、上基板内表面远红外增透膜3、上公共电极4和上取向层5；下基板自上至下依次包括：下取向层8、下光栅电极9、下基板内表面远红外增透膜10、下基板硫系玻璃11、下基板外表面远红外增透膜12；液晶分子层6位于上基板和下基板之间，上基板与下基板边缘密封封装。
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