万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司冯帆获国家专利权
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龙图腾网获悉万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司申请的专利一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117020430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311054582.7，技术领域涉及：B23K26/362；该发明授权一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质是由冯帆;毛智斌;宗芳;衣容琪;胡碧波设计研发完成，并于2023-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质，所述方法包括：当检测到打码机台的第一载物台出现待打码硅片时，获取硅片打码位置需求；根据所述硅片打码位置需求，确定所述硅片的打码位置标准，其中，所述位置标准至少规定了打码区左上侧与硅片中心轴距离，打码区左下侧与硅片中心轴距离，打码区底侧与硅片边缘距离，以及打码区底侧与面幅上边缘距离中的一种预设指标对应的取值区间；根据所述位置标准确定所述待打码硅片中的打码区位置；根据所述待打码硅片中的打码区位置对所述待打码硅片进行打码操作。采用本方案，可以自动确定打码区位置，提高了打码效率。
本发明授权一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种硅片打码方法，其特征在于，包括： 当检测到打码机台的第一载物台出现待打码硅片时，获取硅片打码位置需求； 根据所述硅片打码位置需求，确定所述硅片的打码位置标准，其中，所述位置标准至少规定了打码区左上侧与硅片中心轴距离，打码区左下侧与硅片中心轴距离，打码区底侧与硅片边缘距离，以及打码区底侧与面幅上边缘距离中的一种预设指标对应的取值区间； 根据所述位置标准确定所述待打码硅片中的打码区位置； 根据所述待打码硅片中的打码区位置对所述待打码硅片进行打码操作； 所述根据所述硅片打码位置需求，确定所述硅片的打码位置标准，包括： 获取所述硅片打码位置需求中记载的影响所述硅片位置的多项影响因素的极大值和极小值； 通过所述多项影响因素的极大值和极小值确定所述至少一项预设指标的取值区间； 生成包含所述至少一项预设指标的取值区间的打码位置标准。
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