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龙图腾网获悉清华大学深圳国际研究生院申请的专利一种多层光栅及其自对准方法和加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117270092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311012456.5，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种多层光栅及其自对准方法和加工方法是由李星辉;单硕楠;陆天石;邓富元;王晓浩设计研发完成，并于2023-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层光栅及其自对准方法和加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层光栅及其自对准方法和加工方法，该自对准方法包括以下步骤：A1：采用与底层光栅相同周期的加工光照射到所述底层光栅的预设区域上，所述加工光包括具有相干性的第一入射光束和第二入射光束；A2：探测所述第一入射光束的a级衍射光和所述第二入射光束的b级衍射光相干后的干涉光的场强，其中a+b＝‑1；A3：根据步骤A2中探测到的场强，确定所述底层光栅相对于所述加工光的位移；A4：根据所述底层光栅相对于所述加工光的位移，调整所述加工光与所述底层光栅之间的相对位置以使得所述底层光栅与所述加工光之间的位移为预设偏移量。本发明能够精确控制上下层光栅的偏移量。

本发明授权一种多层光栅及其自对准方法和加工方法在权利要求书中公布了：1.一种多层光栅的自对准方法，其特征在于，包括以下步骤： A1：采用与底层光栅相同周期的加工光照射到所述底层光栅的预设区域上，所述加工光包括具有相干性的第一入射光束和第二入射光束； A2：探测所述第一入射光束的a级衍射光和所述第二入射光束的b级衍射光相干后的干涉光的场强，其中a+b=-1； A3：根据步骤A2中探测到的场强，确定所述底层光栅相对于所述加工光的位移； A4：根据所述底层光栅相对于所述加工光的位移，调整所述加工光与所述底层光栅之间的相对位置以使得所述底层光栅与所述加工光之间的位移为预设偏移量； 其中，步骤A3中具体包括：根据步骤A2中探测到的场强，通过下列关系式来确定所述底层光栅相对于所述加工光的位移： 式中，为场强，为所述第一入射光束或所述第二入射光束在预设状态下的场强初始值，所述预设状态是指所述第一入射光束和所述第二入射光束的衍射光相位相同；为所述底层光栅相对于所述加工光的位移，为所述底层光栅、所述第一入射光束或所述第二入射光束的周期。

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