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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种宽输入范围的电压参考电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117348677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311455172.3，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种宽输入范围的电压参考电路是由刘文韬;李海峰;彭克武;苟超;雷旭;王志皓;赵镱翔;宋敏;陈波设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽输入范围的电压参考电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路领域，特别涉及一种宽输入范围的电压参考电路，该电路结构包括：偏置电路和参考电压电路；偏置电路输入端分别与电阻R0和电源连接，输出端与参考电压电路输入端连接；电阻R0的另一端分别连接二级管的负极和参考电压电路输入端连接；二级管的正极接地；本发明提出了一种新型的宽输入电压范围的电压参考电路，产生的输出电压具有温漂低、结构简单、设计复杂度低、占用芯片面积小的特点。

本发明授权一种宽输入范围的电压参考电路在权利要求书中公布了：1.一种宽输入范围的电压参考电路，其特征在于，包括：偏置电路和参考电压电路；偏置电路输入端分别与电阻R0和电源连接，输出端与参考电压电路输入端连接；电阻R0的另一端分别连接二极管的负极和参考电压电路输入端连接；二极管的正极接地； 偏置电路包括电阻R10~R25，电容C1，PMOS管M4~M9，NMOS管M0，M10~M14，NPN晶体管Q6~Q9；M13的漏极、M4~M9的源极、R10和R23~R25的一端、M4~M9的衬底、C1的一端均连接电源VIN；M13的栅极分别连接R12的一端、R13的一端以及M14的源极和衬底，M13的源极连接M13的衬底和M14的栅极；R10的另一端连接M14的漏极、M4的栅极、R11的一端、R12的另一端；M4的漏极连接R11的另一端和M5、M6、M7的栅极；R13的另一端连接M0的漏极；M0的源极连接M11的漏极；M11的栅极为使能端口EN；R23的另一端连接M5的源极；M5的漏极连接R14的一端；R14的另一端连接M10的漏极、M10的栅极、R15的一端以及M12的栅极；M10的源极连接Q6的集电极和基极；R24的另一端连接M6的源极；M6的漏极连接Q7的集电极、R20的一端以及Q8的基极；Q7的发射极连接R16的一端、R21的一端、Q9的发射极、R19的一端；Q7的栅极连接R20的另一端；R25的另一端连接M7的源极；M7的漏极连接Q8的集电极、Q9的基极；Q8的发射极连接R17、R18的一端；M8的栅极连接M9的漏极、M9的栅极、C1的另一端、R22的一端以及输出VB1；M8的漏极连接R21的另一端；R22的另一端连接M12的漏极；M12的源极连接Q9的集电极；M0的栅极和衬底、M11的源极和衬底、Q6的发射极、R15~R19的另一端、M12的衬底均接地SGND； 参考电压电路包括：电阻R1~R9，PMOS管M1，NMOS管M2、M3，PNP晶体管Q0~Q3，NPN晶体管Q4~Q6；PMOS管M1源极、衬底连接电源VIN，栅极连接输入信号VB1，漏极连接电阻R1一端，源极连接R2一端；R1另一端连接M3的漏极和栅极；R2另一端连接M2的漏极；M3的栅极连接M2的栅极，M3的源极连接R3的一端；R3的另一端连接R4的一端、R5的一端、R6的一端、Q6的基极；M2的源极连接Q6的集电极；R4的另一端连接Q1的发射极、R9的一端；R5的另一端连接Q2的发射极；R6的另一端连接Q3的发射极；Q6的发射极连接Q4和Q5的基极，并作为基准电压的输出端VREF；R9的另一端连接Q0的发射极；Q0的基极为外部逻辑输入端口EN，Q0的集电极连接到地SGND；Q1的基极连接Q3的集电极、Q5的集电极，Q1的集电极连接到底SGND；Q2的基极连接Q2的集电极、Q3的基极、Q4的集电极；Q4的发射极连接R7的一端；R7的另一端连接Q5的发射极和R8的一端；R8的另一端连接到地SGND。

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