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龙图腾网获悉齐齐哈尔翔科新材料有限公司申请的专利一种SiC纳米弹簧的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117658143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311635555.9，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种SiC纳米弹簧的制备方法是由李强;卜国明;徐鸿亮;代龙;刘宏宇设计研发完成，并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC纳米弹簧的制备方法在说明书摘要公布了：一种SiC纳米弹簧的制备方法，涉及一种SiC纳米弹簧的制备方法。为了解决现有的SiC纳米弹簧制备需要采用催化剂的问题，提出一种SiC纳米弹簧的制备方法，制备过程不需要催化剂，且能够实现SiC纳米弹簧的直径、螺线角和螺线长调控。制备方法：将糖置于气氛烧结炉内进行碳化得到块状碳源，将Si氧化得到硅源，将块状碳源直接放置于硅源上表面，抽真空充入氩气，将气氛烧结炉升温并保温，得到SiC纳米弹簧。本发明制备SiC纳米弹簧过程未采用金属催化剂，不需要对产物进行酸洗去除金属催化剂，进而大大降低生产成本与周期；通过改变碳源和硅源的比例和反应温度来调节SiO和CO气体浓度，进而达到调节所得SiC纳米弹簧的直径、螺线角和螺线长。

本发明授权一种SiC纳米弹簧的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC纳米弹簧的制备方法，其特征在于：SiC纳米弹簧的制备方法按以下步骤进行： 一、糖的碳化 将糖放置于石墨坩埚中，加上石墨盖并置于气氛烧结炉内进行碳化，得到制备SiC纳米弹簧所需的块状碳源； 所述碳化工艺为：在0.1~0.3Pa的真空条件下，将气氛烧结炉以5~20℃min的升温速率升温至400~600℃，到温后保温0.5~2h，然后随炉冷至室温； 二、Si粉预氧化 将Si粉放入盛有蒸馏水的烧杯内，烧杯放置于高温炉中，然后在120~150℃下保温0.5~24h，实现Si粉氧化，随后将氧化后的Si粉烘干，得到制备SiC纳米弹簧所需的硅源； 三、SiC纳米弹簧的合成 将步骤二中得到的硅源放置石墨坩埚中，然后将步骤一得到的块状碳源直接放置于硅源上表面，石墨坩埚加上石墨盖并置于气氛烧结炉内；抽真空使气氛烧结炉的真空度在0.1~0.3Pa，然后向气氛烧结炉内充入氩气至标准大气压，将气氛烧结炉以10~30℃min的升温速率进行升温至1100~1350℃并保温0.5~8h，然后断电使得炉体自然冷却至室温，得到SiC纳米弹簧； 所述碳源和硅源的质量比为1~2：1。

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