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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所;西北工业大学申请的专利一种支持在轨程序重构的星载固态存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117666965B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311723156.8，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种支持在轨程序重构的星载固态存储器是由邵明强;杜承烈;贺呈磊;宛霁;王洪泽;刘晓飞设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种支持在轨程序重构的星载固态存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种支持在轨程序重构的星载固态存储器，属于电子信息领域。星载固态存储器包括控制核心、数据存储阵列、缓存单元、刷新加载电路、接口单元、程序存储单元，控制核心实现存储阵列的控制、解析上位机指令、坏块管理、磨损均衡以及地址管理，缓存单元有效的防止单粒子翻转错误。存储阵列避免了高主频下FPGA可能出现的时序违例等难题。加载刷新电路采用刷新加载电路定时对FPGA内部程序进行刷新，减少单粒子翻转的影响。接口单元实现上位机对星载固态存储器的控制管理。程序存储单元根据作用、存储容量大小、读写带宽要求选择存储载体。整个硬件设计以FPGA软核实现星载固态存储器的控制管理功能，不必设计专门的CPU硬件。

本发明授权一种支持在轨程序重构的星载固态存储器在权利要求书中公布了：1.一种支持在轨程序重构的星载固态存储器，其特征在于，包括控制核心、数据存储阵列、缓存单元、刷新加载电路、程序存储单元和接口单元；控制核心包括软核和逻辑单元；所述控制核心、接口单元和刷新加载电路均与上位机交互； 所述软核与所述逻辑单元交互，用于星载固态存储器擦除、记录、回放时序启动与组合；所述缓存单元与所述逻辑单元交互，用于实现记录、回放数据缓存、分拣及组合；所述数据存储阵列与所述控制核心交互，用于实现对存储阵列的状态检测、故障管理、冗余策略管理执行及时序控制；所述刷新加载电路与所述控制核心交互，用于控制核心程序加载刷新；所述接口单元均与所述控制核心交互，用于实现星载固态存储器数据交互；所述程序存储单元与所述控制核心交互，用于加载命令字检测、程序分区加载、参数存储；所述刷新加载电路上连接有NORFLASH； 引导程序与FPGA比特流合并为配置程序保存在NorFLASH中，应用程序存储在MRAM存储器中，程序存储单元为MRAM存储器； 在软核中进行在轨程序重构的步骤如下：上电固化、软核加载检测、软核程序重构和FPGA程序重构； 软核程序重构步骤如下：1上位机发送重构进入查询应用程序系统状态；系统状态为空闲时，上位机发送重构启动指令后擦除程序存储单元中命令字后正常返回响应，这时系统需要重新上电；2系统上电加载引导程序运行，检查命令字不存在，进入到重构流程；3、上位机发送重构指令，将新的应用程序更新至程序存储单元中；4、更新完成后上位机给引导程序发送预运行指令，引导程序引导加载应用程序到缓存单元中并执行；5、上位机发送重构进入指令和重构退出指令；6、应用程序接收到重构退出指令后，表明退出重构模式，回填命令字到程序存储单元中；7、上位机向加载刷新电路发送加载指令系统重启，应用程序开始正常运行，完成重构过程； FPGA程序重构步骤如下：1、上位机通过UART总线控制加载刷新器发送NorFlash擦除指令，对FPGA.bit执行擦除操作，回读状态变量判读擦除是否完成；2、上位机通过UART总线向加载刷新电路发送重构程序数据，执行NorFlash编程操作；3、编程完成后上位机向加载刷新电路发送程序校验指令进行程序校验，执行NorFlash程序校验后，加载刷新电路将校验结果反馈给上位机，上位机控制下电；4、上位机向加载刷新电路发送加载指令系统重启，重构完成。

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