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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于片上自动修调实现低工艺偏差的电压基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117908625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410224671.X，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种基于片上自动修调实现低工艺偏差的电压基准源电路是由方中元;樊浩男;王屹晴;李忠良;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于片上自动修调实现低工艺偏差的电压基准源电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于片上自动修调实现低工艺偏差的电压基准源电路，包括参考源、核心电压基准源、修调电路、比较器和数字执行逻辑电路；参考源和核心电压基准源分别与比较器的两个输入端连接，比较器的输出端通过数字执行逻辑电路与修调电路的输入端连接，修调电路的输出端与核心电压基准源连接；比较器对比核心电压基准源的输出电压值以及参考源输出电压值的K倍取值，控制数字执行逻辑电路对核心电压基准源的输出电压进行自动修调。本发明采用额外的参考源对原有设计进行校准，减小了CMOS工艺偏差对输出电压基准的影响；此外通过修调电路实现自动修调，减少了修调过程的复杂性，极大地减小了配置复杂度，提升灵活性。

本发明授权一种基于片上自动修调实现低工艺偏差的电压基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种基于片上自动修调实现低工艺偏差的电压基准源电路，其特征在于，所述电压基准源电路包括参考源、核心电压基准源、修调电路、比较器和数字执行逻辑电路； 所述参考源的输出端和核心电压基准源的输出端分别与比较器的两个输入端连接，比较器的输出端通过数字执行逻辑电路与修调电路的输入端连接，修调电路的输出端与核心电压基准源连接； 所述比较器对比核心电压基准源的输出电压值以及参考源输出电压值的K倍取值，根据比较结果控制数字执行逻辑电路输出控制相应的修调控制信号至修调电路，对核心电压基准源的输出电压进行自动修调，并在修调完成后锁定核心电压基准源的输出电压； 其中，所述核心电压基准源包括PMOS管MP1、PMOS管MP2和PMOS管MP3；所述PMOS管MP1、PMOS管MP2和PMOS管MP3的源端和衬底短接；PMOS管MP1的栅端和漏端接地，源端连接PMOS管MP2的漏端和栅端；PMOS管MP2的源端连接PMOS管MP3的漏端和栅端；PMOS管MP3的源端连接核心电压基准源的输出端； 所述修调电路包括：NMOS管MNa0、NMOS管MNa1、NMOS管MNa2、NMOS管MNa3、NMOS管MNa4、NMOS管MNa5、NMOS管MNa6、NMOS管MNa7、NMOS管MNa8、NMOS管MNa9、NMOS管MNa10、NMOS管MNa11、NMOS管MNa12、NMOS管MNa13、NMOS管MNa14、NMOS管MNa15；NMOS管MNb0、NMOS管MNb1、NMOS管MNb2、NMOS管MNb3、NMOS管MNb4、NMOS管MNb5、NMOS管MNb6、NMOS管MNb7、NMOS管MNb8、NMOS管MNb9、NMOS管MNb10、NMOS管MNb11、NMOS管MNb12、NMOS管MNb13、NMOS管MNb14、NMOS管MNb15；PMOS管MPa0、PMOS管MPa1、PMOS管MPa2、PMOS管MPa3、PMOS管MPa4、PMOS管MPa5、PMOS管MPa6、PMOS管MPa7、PMOS管MPa8、PMOS管MPa9、PMOS管MPa10、PMOS管MPa11、PMOS管MPa12、PMOS管MPa13、PMOS管MPa14、PMOS管MPa15； 所述NMOS管MNa0~NMOS管MNa15的源端均与核心电压基准源的输出端连接，栅端与PMOS管MP3的漏端连接，漏端分别与NMOS管MNb0~NMOS管MNb15的源端一一对应连接；所述NMOS管MNb0~NMOS管MNb15的栅端均与核心电压基准源的输出端连接，漏端分别与PMOS管MPa0~PMOS管MPa15的漏端一一对应连接；所述PMOS管MPa0~PMOS管MPa15的栅端分别与数字执行逻辑电路的控制信号输出端Y0~控制信号输出端Y15一一对应连接，源端均与电源连接； 进一步地，所述数字执行逻辑电路包括四位寄存器和译码器，比较器的输出端与四位寄存器的输入端连接，四位寄存器的输出端通过译码器与修调电路连接； 所述比较器根据比较结果输出0或者1，控制四位寄存器生成4位计数结果，通过译码器转化为16个控制信号分别对NMOS管MNa0~NMOS管MNa15的宽长比和PMOS管MPa0~PMOS管MPa15的导通状态进行控制，对核心电压基准源的输出电压和温度系数进行修调。

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