美光科技公司G·卡列洛获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利非写入提升数据在写入提升器高速缓存存储器中的机会存储获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118210438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311714720.X,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权非写入提升数据在写入提升器高速缓存存储器中的机会存储是由G·卡列洛;J·S·帕里;R·巴苏设计研发完成,并于2023-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本非写入提升数据在写入提升器高速缓存存储器中的机会存储在说明书摘要公布了:本公开涉及非写入提升数据在写入提升器高速缓存存储器中的机会存储。在一些实施方案中,一种存储器装置可接收包含待写入到所述存储器装置的数据的写入命令。所述存储器装置可接收对于所述数据取消激活单电平单元数据高速缓存的指示。所述存储器装置可确定所述数据是否与第一数据类型或第二数据类型相关联。基于确定所述数据是否与所述第一数据类型或所述第二数据类型相关联及确定单电平单元高速缓存存储器是否具有未经预留用于所述单电平单元数据高速缓存的可用存储器,所述存储器装置可选择性地将所述数据写入到所述单电平单元高速缓存存储器或多电平单元主存储器。
本发明授权非写入提升数据在写入提升器高速缓存存储器中的机会存储在权利要求书中公布了:1.一种存储器装置,其包括: 非易失性高速缓存存储器;及 一或多个控制器,其经配置以: 从主机装置接收经预留用于对于其激活写入提升的第一数据的所述非易失性高速缓存存储器的阈值量的指示; 从所述主机装置接收包含对于其取消激活写入提升的第二数据的写入命令; 确定所述第二数据是热数据; 基于确定所述第二数据是热数据,基于所述阈值量的所述指示且尽管对于所述第二数据取消激活写入提升,使用写入提升游标识别所述非易失性高速缓存存储器的块;及 将所述第二数据写入到所述非易失性高速缓存存储器的所述块。
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