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龙图腾网获悉北京量子信息科学研究院申请的专利一种In(Ga)As量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118275198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410226503.4，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种In(Ga)As量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺是由刘丽;冀伟杰设计研发完成，并于2024-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种In(Ga)As量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺在说明书摘要公布了：本申请公开一种InGaAs量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺，包括：制备样品并预处理，所述样品从下至上依次包括GaAs衬底层、Al0.75Ga0.25As中间层和含有量子点的GaAs层；在所述含有量子点的GaAs层表面制备带有微腔的聚合物掩膜层；采用干法刻蚀将微腔从掩膜层转移到所述含有量子点的GaAs层；采用湿法腐蚀掏空Al0.75Ga0.25As中间层，得InGaAs量子点微腔悬浮样品。通过干法刻蚀结合湿法腐蚀掏空处理使InGaAs量子点微腔悬浮，可提供优化的光学性能、增强的机械稳定性，并且可在光子器件设计与应用、传感和检测等领域发挥重要作用。

本发明授权一种In(Ga)As量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种InGaAs量子点环形布拉格波导腔悬浮样品的制备工艺，其特征在于，包括： 制备样品并预处理，所述样品从下至上依次包括GaAs衬底层、Al0.75Ga0.25As中间牺牲层和含有InAs量子点的GaAs层； 在所述含有InAs量子点的GaAs层表面通过电子束曝光工艺制备精度在百纳米的环形布拉格波导腔的聚合物掩膜层； 采用干法刻蚀将所述环形布拉格波导腔从所述聚合物掩膜层转移到所述含有InAs量子点的GaAs层，去除残留的聚合物掩膜层；其中，所述干法刻蚀的样品台温度为10-20℃，刻蚀气体为Cl2BCl3Ar混合气，样品背面He气吹扫压力为10-20Torr，工艺压强为2-5mTorr，上电极功率为500-800W，下电极功率为60-110W，刻蚀时间为1-3min，所述刻蚀气体流量为Cl2：2-6sccm、BCl3:3-8sccm、Ar：5-10sccm； 采用湿法腐蚀掏空Al0.75Ga0.25As中间牺牲层，得InGaAs量子点环形布拉格波导腔悬浮样品；其中，所述湿法腐蚀为HF湿法腐蚀；所述HF湿法腐蚀包括：将干法刻蚀后的样品依次浸泡在HF溶液、去离子水和异丙醇中；HF溶液浓度为2%-10%，所述样品在HF溶液中的浸泡时间为10-60s，在去离子水中的浸泡时间为5-15min，异丙醇中的浸泡时间为2-10min。

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