上海工程技术大学梁硕获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海工程技术大学申请的专利一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118324523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410430017.4，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料及其制备方法是由梁硕;刘宏波设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料、其用途及其制备方法，未充满型钨青铜结构低损耗介电材料，结构通式为aNb2O5‑bCaO‑cSrO‑dBaO‑eLa2O3‑fNd2O3‑gNa2O，其中，a≥0.5，b≥0.1，c≥0.1，d≥0.1，e≥0，f≥0，g≥0。本发明未充满型钨青铜结构低损耗介电材料，具有介电常数可调、低介电损耗、容温变化率小，可用于陶瓷电容器和MLCC；制备时，在中低温烧结即可，环境友好且工艺简单，成本低廉，具有良好的产业化前景。
本发明授权一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料，其特征在于：其结构通式为aNb2O5-bCaO-cSrO-dBaO-eLa2O3-fNd2O3-gNa2O，其中，a=0.5，b=0.125，c=0.125，d=0.125，e=0.0625，f=0，g=0；或者，a=0.5，b=0.125，c=0.125，d=0.125，e=0，f=0.0625，g=0；或者，a=0.5，b=0.1，c=0.1，d=0.1，e=0.05，f=0，g=0.05；或者，a=0.5，b=0.1，c=0.1，d=0.1，e=0，f=0.05，g=0.05。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海工程技术大学，其通讯地址为：201620 上海市松江区龙腾路333号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励