硅存储技术股份有限公司V·马克夫获国家专利权
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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利筛选非易失性存储器单元的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119072750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280094179.4，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权筛选非易失性存储器单元的方法是由V·马克夫;A·柯多夫设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本筛选非易失性存储器单元的方法在说明书摘要公布了：一种用于筛选存储器单元的方法，该方法包括：擦除存储器单元；将存储器单元弱编程到经修改的擦除状态；在该擦除和该弱编程之后对存储器单元执行第一读取操作；筛选在第一读取操作期间展现出低于容限读取电流阈值M1的读取电流的任何存储器单元；在第一读取操作之后烘烤存储器单元；在烘烤之后对存储器单元执行第二读取操作；以及筛选在第二读取操作期间展现出低于容限读取电流阈值M1的读取电流的任何存储器单元。
本发明授权筛选非易失性存储器单元的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于筛选存储器单元的方法，所述方法包括： 擦除所述存储器单元； 将所述存储器单元弱编程到经修改的擦除状态； 在所述擦除和所述弱编程之后对所述存储器单元执行第一读取操作； 筛选在所述第一读取操作期间展现出低于容限读取电流阈值M1的读取电流的任何所述存储器单元； 在所述第一读取操作之后烘烤所述存储器单元； 在所述烘烤之后对所述存储器单元执行第二读取操作；以及 筛选在所述第二读取操作期间展现出低于所述容限读取电流阈值M1的读取电流的任何所述存储器单元。
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