福建省晋华集成电路有限公司刘利晨获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119095378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411178412.4，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由刘利晨;钟荣祥;夏忠平设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，在形成对准标记第一对准标记或第二对准标记之前均先去除第二区上的堆叠层第一堆叠层或第二堆叠层，然后再沉积介质层第一介质层或第二介质层，以通过将对准标记形成在材料为隔离材料的介质层中的方式，改善对准标记质量，保证对准信号质量满足要求，提高对准标记的可识别性，进而防止第一导电柱和第二导电柱出现错位的现象，最终提升三维存储器的良率。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区和第二区； 形成第一堆叠层位于所述第一区和所述第二区上； 去除所述第二区上的所述第一堆叠层，以露出所述第二区上的所述基底； 形成第一介质层位于所述第二区上； 形成多个相互分隔的第一导电柱位于所述第一区的所述第一堆叠层内，且形成多个第一对准标记位于所述第二区的所述第一介质层内； 形成第二堆叠层位于所述第一区的所述第一堆叠层上和所述第二区的所述第一介质层上； 刻蚀所述第二区的部分所述第二堆叠层，以在所述第二区的所述第二堆叠层内形成多个底部露出所述第一对准标记的凹槽； 形成第二介质层位于所述凹槽内； 形成多个相互分隔的第二导电柱位于所述第一区的所述第二堆叠层内，且形成第二对准标记位于所述第二区的所述第二介质层内； 其中，所述第一堆叠层和所述第二堆叠层包括交替设置的介电层和导电层，所述第一介质层和所述第二介质层的材料包括氧化物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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