宁波大学;北京铭镓半导体有限公司王旭获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波大学;北京铭镓半导体有限公司申请的专利一种电控InAs/GaAs量子点范德华异质结SESAM结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119231299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411071297.0，技术领域涉及：H01S3/108；该发明授权一种电控InAs/GaAs量子点范德华异质结SESAM结构是由王旭;王凌冬;高思能;兰馨如;孟冬冬;陈政委设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电控InAs/GaAs量子点范德华异质结SESAM结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电控InAsGaAs量子点范德华异质结SESAM结构，包括：半绝缘GaAs衬底、反射层、吸收层，其中反射层位于半绝缘GaAs衬底上层，反射层由底部的多周期的Si掺杂GaAsAl0.98Ga0.02As分布式布拉格反射镜组成；吸收层的中部是SESAM的吸收区，吸收区的构成为将2.9个分子层厚度的InAs量子点层QD插入在1nm厚的InGaAs底部缓冲层和6nm厚的InAsGaAsInGaAs短周期超晶格盖层之间，吸收层上部和下部，分别加入厚度为50nm调制Si掺杂GaAs层，形成双二维电子气结构。
本发明授权一种电控InAs/GaAs量子点范德华异质结SESAM结构在权利要求书中公布了：1.一种电控InAsGaAs量子点范德华异质结SESAM结构，其特征在于，包括：半绝缘GaAs衬底、反射层、吸收层，其中 所述反射层位于所述半绝缘GaAs衬底上层，所述反射层由底部的多周期的Si掺杂GaAsAl0.98Ga0.02As分布式布拉格反射镜组成； 所述吸收层的中部是SESAM的吸收区，所述吸收区的构成为将2.9个分子层厚度的InAs量子点层QD插入在1nm厚的InGaAs底部缓冲层和6nm厚的InAsGaAsInGaAs短周期超晶格盖层之间，所述吸收层上部和下部，分别加入厚度为50nm调制Si掺杂GaAs层，形成双二维电子气结； 覆盖在所述吸收层上面的石墨烯，所述石墨烯的层数为2-10层； 沉积在所述石墨烯表面的SiO2保护层； 所述石墨烯、所述量子点层以及Si掺杂的所述GaAs层分别设置有ICP刻蚀技术制备的不同深度的台面；所述台面上分别设置有通过Lift-off及电子束沉积技术沉积的TiAu和AuGeNiAu电极。
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