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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种半导体激光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119496044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411636227.5，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种半导体激光器件及其制备方法是由刘飞;吴德华;黄辅帅设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供的一种半导体激光器件及其制备方法涉及半导体激光器技术领域。该半导体激光器件由下至上依次包括衬底层、缓冲层、下限制层、下复合波导层、量子阱、上复合波导层、上限制层、过渡层和帽层。所述的下复合波导层从下往上依次包括Alx2Ga1‑x2y2In1‑y2P第一下波导层、Alx3Ga1‑x3y3In1‑y3P第二下波导层和Alx4Ga1‑x4y4In1‑y4P第三下波导层。所述的上复合波导层从下往上依次包括Alx6Ga1‑x6y5In1‑y5P第一上波导层、Alx7Ga1‑x7y6In1‑y6P第二上波导层和Alx8Ga1‑x8y7In1‑y7P第三上波导层。所述的下限制层为Alx1Ga1‑x1y1In1‑y1P，所述的上限制层为Alx9Ga1‑x9y8In1‑y8P。其中，x3＞x1＞x2＝x4，x7＞x9＞x6＝x8。该半导体激光器件采用宽条型结构有效保证了光束质量，避免光斑杂乱。

本发明授权一种半导体激光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器件，其特征在于：由下至上依次包括衬底层1、缓冲层2、下限制层3、下复合波导层、量子阱5、上复合波导层、上限制层7、过渡层和帽层9； 所述的下复合波导层从下往上依次包括Alx2Ga1-x2y2In1-y2P第一下波导层41、Alx3Ga1-x3y3In1-y3P第二下波导层42和Alx4Ga1-x4y4In1-y4P第三下波导层43； 所述的上复合波导层从下往上依次包括Alx6Ga1-x6y5In1-y5P第一上波导层61、Alx7Ga1-x7y6In1-y6P第二上波导层62和Alx8Ga1-x8y7In1-y7P第三上波导层63； 所述的下限制层3为Alx1Ga1-x1y1In1-y1P，所述的上限制层7为Alx9Ga1-x9y8In1-y8P； 其中，x3＞x1＞x2=x4，x7＞x9＞x6=x8； 参数x1、y1、x2、y2、x3、y3、x4、y4、x6、y5、x7、y6、x8、y7、x9和y8的取值范围为， 0.6≤x1≤0.7,0.4≤y1≤0.6,0.4≤x2≤0.55,0.4≤y2≤0.6；0.7≤x3≤0.8,0.5≤y3≤0.65；0.4≤x4≤0.55,0.4≤y4≤0.6,0.4≤x6≤0.55,0.4≤y5≤0.6；0.7≤x7≤0.8,0.5≤y6≤0.66；0.4≤x8≤0.55,0.4≤y7≤0.6,0.6≤x9≤0.7,0.4≤y8≤0.6。

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