上海华力集成电路制造有限公司张冠军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利提高器件栅极高度均一性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411546931.1，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权提高器件栅极高度均一性的方法是由张冠军设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高器件栅极高度均一性的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提高器件栅极高度均一性的方法，包括S1：提供一基底，基底表面形成有氧化层，基底上形成有间隔设置的多个凸起结构；S2：在氧化层上沉积栅极多晶硅层，栅极多晶硅层高于凸起结构，栅极多晶硅层表层形成有第一低洼区域；S3：在栅极多晶硅层表面沉积氮化硅层，氮化硅层表层形成有第二低洼区域；S4：在氮化硅层上形成保护多晶硅层，保护多晶硅层表层形成有第三低洼区域，第三低洼区域位于第二低洼区域上方；S5：对保护多晶硅层进行化学机械研磨工艺，并停止在氮化硅层表面；S6：进行回刻工艺，直到剩余的栅极多晶硅层的厚度达到目标厚度。本申请通过上述方案，能够提高器件栅极高度均一性。
本发明授权提高器件栅极高度均一性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高器件栅极高度均一性的方法，其特征在于，包括： S1：提供一基底，所述基底表面形成有氧化层，所述基底上形成有间隔设置的多个凸起结构，所述凸起结构贯穿所述氧化层且高出所述氧化层； S2：在所述氧化层上沉积栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层高于所述凸起结构，所述栅极多晶硅层表层形成有第一低洼区域； S3：在所述栅极多晶硅层表面沉积氮化硅层，所述氮化硅层表层形成有第二低洼区域，所述第二低洼区域位于所述第一低洼区域上方； S4：在所述氮化硅层上形成保护多晶硅层，所述保护多晶硅层表层形成有第三低洼区域，所述第三低洼区域位于所述第二低洼区域上方； 其中，沉积的所述保护多晶硅层的厚度大于所述栅极多晶硅层的厚度； S5：对所述保护多晶硅层进行化学机械研磨工艺，并停止在所述氮化硅层表面，所述化学机械研磨工艺所使用的研磨液中含有抑制剂，所述抑制剂减缓对所述第三低洼区域的研磨速率； S6：进行回刻工艺，直到剩余的所述栅极多晶硅层的厚度达到目标厚度。
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