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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种带电子传输层的GaAs/PEDOT : PSS@CNT异质结太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411695646.6，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权一种带电子传输层的GaAs/PEDOT : PSS@CNT异质结太阳电池及其制备方法是由李国强;郭超英;邓曦;蔡宇凡设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带电子传输层的GaAs/PEDOT : PSS@CNT异质结太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带电子传输层的GaAsPEDOT:PSS@CNT异质结太阳电池及其制备方法。该电池的结构从下往上依次是背电极、电子传输层、GaAs衬底、PEDOT@CNT层、顶电极。制备方法为，采用电子束蒸发法在GaAs衬底背面蒸镀ZnO电子传输层，接着在蒸镀的ZnO上蒸镀一层Au作为背电极；在GaAs衬底表面制备PEDOT:PSS@CNT薄膜，接着在PEDOT:PSS@CNT薄膜上蒸镀Ag,Cr,Ti,Ni,Au中的一种或几种复合电极。本发明太阳电池制备方法不仅工艺简单，成本低廉，而且还利用ZnO的能带结构特征作为电子传输层以及PEDOT@CNT作为复合空穴传输层提升器件性能，有利于推动GaAs基太阳电池的市场化发展。

本发明授权一种带电子传输层的GaAs/PEDOT : PSS@CNT异质结太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带电子传输层的GaAsPEDOT:PSS@CNT异质结太阳电池，其特征在于，所述太阳电池从下至上的结构依次为Au背电极，ZnO电子传输层，n型掺杂的GaAs衬底，PEDOT:PSS@CNT层和顶电极； 所述ZnO电子传输层在蒸镀完成后，在真空条件下、350℃-400℃进行退火处理； 所述PEDOT:PSS@CNT层中的PEDOT:PSS是指聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸盐，CNT是指碳纳米管；该PEDOT:PSS@CNT层由浓度为10mgmL-30mgmL的PEDOT:PSS溶液与浓度为1×10-3mgmL～3×10-3mgmL的CNT分散液，按PEDOT:PSS溶液的体积分数为30％～90％进行混合，经超声处理形成均匀分散液后，旋涂于GaAs衬底表面，再在真空条件下、120℃-150℃进行退火处理制成； 所述太阳电池的开路电压为0.50V～0.55V，短路电流密度为8.1mAcm2～10.8mAcm2，填充因子为62.1％～66.7％，光电转换效率为2.77％～3.53％； 所述带电子传输层的GaAsPEDOT:PSS@CNT异质结太阳电池制备方法，包括如下步骤： 1采用电子束蒸发法在GaAs衬底背面蒸镀一层ZnO作为电子传输层；ZnO薄膜蒸镀完成后，需要在真空条件下进行退火，退火温度为350℃-400℃； 2在ZnO薄膜表面蒸镀一层Au作为背电极； 3在GaAs衬底表面制备PEDOT:PSS@CNT薄膜；PEDOT:PSS@CNT薄膜的制备方法为旋涂法，转速为3000-6000rpm，旋涂时间为10s-20；PEDOT:PSS@CNT薄膜制备完成后，需要在真空条件下进行退火，退火温度为120℃-150℃；PEDOT:PSS@CNT薄膜层中的PEDOT:PSS是指一种有机聚合物，其中文全称为聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸盐，CNT是指碳纳米管；该复合层是由PEDOT：PSS溶液与CNT分散液通过超声手段混合后旋涂制成的；PEDOT:PSS的溶液浓度为10mgmL-30mgmL,CNT分散液的浓度为1×10-3mgml～3×10-3mgml；PEDOT:PSS@CNT混合液中PEDOT：PSS溶液的体积分数30％～90％； 4在PEDOT:PSS@CNT表面蒸镀一层包括Ag、Cr、Ti、Ni、Au中的一种或几种复合电极；所述GaAs衬底为n型掺杂。

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