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龙图腾网获悉湖北隆中实验室;武汉理工大学申请的专利包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119591065B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411717193.2，技术领域涉及：C01B25/32；该发明授权包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线及其制备方法是由王堃;苏正建;陈深业设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域，包括羟基磷灰石纳米线和包覆在其表面的富金属离子非晶层，羟基磷灰石纳米线的长径比为500~10000，羟基磷灰石纳米线的直径与富金属离子非晶层厚度比为5~50:1。本申请通过学习天然牙釉质的独特结构，为羟基磷灰石纳米线外层涂覆一层含有富铁、铝、铜、锰或锌金属离子的非晶层，以模拟天然牙釉质中羟基磷灰石纳米线的多级结构，使其具备了金属离子所赋予羟基磷灰石纳米线的一些优异性能，如良好的热稳定性、耐腐蚀和耐磨性能。

本发明授权包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线，其特征在于，包括羟基磷灰石纳米线和包覆在其表面的富金属离子非晶层，所述金属离子选自铁、铝、铜、锰、锌中的一种； 所述包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线的制备方法包括如下步骤： S1、将羟基磷灰石纳米线分散于缓冲溶液中，得到羟基磷灰石纳米线悬浮溶液，所述缓冲溶液为甲酸铵-甲酸缓冲溶液或甘氨酸-氢氧化钠缓冲溶液；其中，当所述金属离子为铁和铝时，所述缓冲溶液pH为5.0，当所述金属离子为铜和锰时，所述缓冲溶液pH为9.0，当所述金属离子为锌时，所述缓冲溶液pH为7.0； S2、将可溶性金属盐加入所述羟基磷灰石纳米线悬浮溶液中，搅拌反应，反应完成后清洗、离心、冷冻干燥，得到包覆富金属离子非晶层的羟基磷灰石纳米线； 所述羟基磷灰石纳米线的直径为10~100nm，长度为100~500μm；所述富金属离子非晶层厚度为1~5nm； 所述羟基磷灰石纳米线悬浮溶液中羟基磷灰石纳米线的浓度为2~5gL； 步骤S2中所述金属离子浓度为0.0001~0.025molL，所述金属离子与羟基磷灰石中Ca2+的摩尔比为1:2~10。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北隆中实验室;武汉理工大学，其通讯地址为：441000 湖北省襄阳市东津新区鹿鸣路101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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