西安交通大学刘鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119615118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411830373.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用是由刘鑫;赵维栋;王嘉伟;成永红设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用，采用ALD技术在衬底上交替沉积设定层数的Hf0.5Zr0.5O2薄膜与一层Al2O3薄膜，得到不同掺杂浓度的Alx‑Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜，x表示使用ALD沉积Al2O3的层数，y表示用ALD沉积Hf0.5Zr0.5O2的层数；对得到的Alx‑Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜进行高温退火，得到Alx‑Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜样品；对得到的Alx‑Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜样品镀顶电极与底电极，得到氧化铪基铁电薄膜。本发明提高了无电极约束下退火铁电薄膜的性能，加深了对HfO2薄膜铁电原理的理解，推动了新型实用铁电薄膜领域的发展。
本发明授权一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用ALD技术在衬底上交替沉积设定层数的Hf0.5Zr0.5O2薄膜与一层Al2O3薄膜，得到不同掺杂浓度的Alx-Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜，掺杂Al的浓度为2.04%~5.88%，x表示使用ALD沉积Al2O3的层数，y表示用ALD沉积Hf0.5Zr0.5O2的层数； 在氧气气氛下，在标准大气压强下，以40~60Ks的升温速率对得到的Alx-Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜进行500~700℃的高温退火20~40s，得到Alx-Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜样品； 对得到的Alx-Hf0.5Zr0.5O2y铁电薄膜样品镀顶电极与底电极，得到氧化铪基铁电薄膜。
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