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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411916516.0，技术领域涉及：G03F1/76；该发明授权一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法是由刘恒;韩超;迟奔奔;邢雅丽设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法，包括以下步骤：S1：形成第一层光刻胶；S2：对第一层光刻胶依次进行第一次前烘、第一斜面图形化处理和第一次后烘，得到斜面图形化的第一层光刻胶；S3：在斜面图形化的第一层光刻胶上涂布第二层光刻胶；S4：对第二层光刻胶依次进行第二次前烘、第二斜面图形化处理和第二次后烘，第一层光刻胶和第二层光刻胶融合，形成具有预设角度的斜面光刻胶掩膜。由于第一次后烘能够使第一层光刻胶具有更好的耐显性，使得第一层光刻胶和第二层光刻胶具有不同的显影选择比，从而实现更大的斜面光刻胶的斜面角度范围，进而提高介质层的侧壁倾斜角度调整范围，满足倾斜侧壁结构的角度要求。

本发明授权一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：形成第一层光刻胶； S2：对所述第一层光刻胶依次进行第一次前烘、第一斜面图形化处理和第一次后烘，得到斜面图形化的第一层光刻胶； 所述第一斜面图形化处理包括第一次曝光和第一次显影； S3：在所述斜面图形化的第一层光刻胶上涂布第二层光刻胶； S4：对所述第二层光刻胶依次进行第二次前烘、第二斜面图形化处理和第二次后烘，所述第一层光刻胶和所述第二层光刻胶融合，形成具有预设角度的斜面光刻胶掩膜；所述第二斜面图形化处理包括第二次曝光和第二次显影； 其中，所述第一层光刻胶和所述第二层光刻胶的材料相同；所述第二次曝光的能量大于所述第一次曝光的能量，所述第二次后烘的温度高于所述第一次后烘的温度； 所述第二斜面图形化处理的位置和所述第一斜面图形化处理的中心相同；所述预设角度小于所述斜面图形化的第一层光刻胶的斜面角度。

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