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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种光控超高Q值的太赫兹超表面调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119667975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510067678.X，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种光控超高Q值的太赫兹超表面调制器是由江明珠;张宇凡;胡放荣;张隆辉;杨骁睿;周哲设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光控超高Q值的太赫兹超表面调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光控超高Q值的太赫兹超表面调制器，包括透射基底层与频率控制结构；所述频率控制结构叠置于透射基底层的上表面；所述频率控制结构包括表面周期结构；所述表面周期结构由多个呈规则矩阵排列的透射单元组成。本发明通过控制外部激光对调制器的光敏材料层施加激光脉冲，使其产生大量光激发自由载流子，构成周期单元谐振器，实现特定频带下对透射太赫兹波品质因子Q值的调控。与现有技术相比，本发明可在超窄频率下实现超高品质因子并调控，适用于不同场合，结构简单，操作方便。

本发明授权一种光控超高Q值的太赫兹超表面调制器在权利要求书中公布了：1.一种光控超高Q值的太赫兹超表面调制器，其特征在于，包括透射基底层1与频率控制结构2；所述频率控制结构2叠置于透射基底层1的上表面； 所述频率控制结构2包括表面周期结构； 所述表面周期结构由多个呈规则矩阵排列的透射单元组成； 每个所述透射单元均由2个二氧化硅贴片21与光调控材料贴片22构成，2个所述二氧化硅贴片21分别为左侧二氧化硅贴片21和右侧二氧化硅贴片21； 所述左侧二氧化硅贴片21为二氧化硅材料制成的扇形，右侧二氧化硅贴片21为二氧化硅材料制成的扇形； 所述左侧二氧化硅贴片21和右侧二氧化硅贴片21形状相同，大小相等； 所述左侧二氧化硅贴片21和右侧二氧化硅贴片21分别位于相对的两侧，且所述左侧二氧化硅贴片21和右侧二氧化硅贴片21中间存在间隙； 2个所述光调控材料贴片22分别为左侧光调控材料贴片22和右侧光调控材料贴片22； 所述左侧光调控材料贴片22为光调控材料制成的扇形，所述右侧光调控材料贴片22为光调控材料制成的扇形； 所述左侧光调控材料贴片22和右侧光调控材料贴片22形状相同，大小相等； 所述左侧光调控材料贴片22和右侧光调控材料贴片22分别位于相对的两侧，且所述左侧光调控材料贴片22和右侧光调控材料贴片22中间存在间隙； 所述左侧二氧化硅贴片21与右侧二氧化硅贴片21与左侧光调控材料贴片22与右侧光调控材料贴片22的半径相等； 所述左侧二氧化硅贴片21的上侧直边与左侧光调控材料贴片22的下侧直边相连； 所述右侧二氧化硅贴片21的上侧直边与右侧光调控材料贴片22的下侧直边相连； 所述左侧二氧化硅贴片21与左侧光调控材料贴片22的圆心角互补； 所述右侧二氧化硅贴片21与右侧光调控材料贴片22的圆心角互补。

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