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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种T型栅及改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311198280.7，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种T型栅及改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法是由武伟超;魏珂;张睿哲;王建超;何晓强;张昇;张一川;吴嵩设计研发完成，并于2023-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种T型栅及改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种T型栅及改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法，属于半导体材料技术领域，用于解决现有技术中薄膜层会造成栅帽底部边缘轮廓出现“伞状”外溢，进而影响器件的稳定性的问题。本发明公开了一种改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法，所述的方法包括第一光刻层薄膜层第三光刻层三层胶结构的制备，所述的薄膜层的材料为Al2O3。本发明的方法将T‑gate器件双层胶匀涂工艺中间层的薄膜层选择为Al2O3，降低了上层光刻胶显影时对薄膜层金属的过快钻蚀，抑制了腐蚀区域两侧外扩的现象，优化了T‑gate器件结构栅帽金属边缘的陡直度情况，改善了T型栅形貌工艺的稳定性，从而提高了T型栅工艺的稳定性。

本发明授权一种T型栅及改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善T型栅栅帽底部边缘形貌的方法，其特征在于，所述的方法包括第一光刻层薄膜层第三光刻层三层胶结构的制备，所述的薄膜层的材料为Al2O3； 所述的方法具体包括如下步骤： 1在基片上匀涂第一光刻胶，形成第一光刻层，所述的第一光刻胶为PMMA或ZEP； 2在所述的第一光刻层上制备薄膜层，所述的薄膜层材料为Al2O3，Al2O3薄膜层采用电子束蒸发或磁控溅射方法制备而成； 3在Al2O3薄膜层上，匀涂第三光刻胶，形成第一光刻层薄膜层第三光刻层三层胶结构，所述的第三光刻胶为ZEP、UVIII或PMMA； 4在第一光刻层薄膜层第三光刻层三层胶结构上电子束曝光、显影，显影后形成T型栅基础结构的形状和位置，得到显影后的基片； 5在显影后的基片上制备栅极金属层； 6清除掉T型栅基础结构形状和位置以外的栅极金属层以及显影后剩余的第一光刻层薄膜层第三光刻层三层胶结构，得到改善后的T型栅； Al2O3降低了上层光刻胶显影时对薄膜层金属的过快钻蚀，抑制了腐蚀区域两侧外扩的现象。

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