买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411716708.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管及其制备方法是由游淑珍;周挺;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管及其制备方法，晶体管包括：依次层叠的衬底、成核层、应力调节层、集电区、N型缓冲层、N型漂移层、P型发射区、沟道层和势垒层，集电区的至少一部分为P型集电区，沟道层和势垒层之间形成二维电子气；与P型发射区接触的第一发射极金属，第一发射极金属与势垒层、沟道层之间设置有介质层；覆盖第一发射极金属且与沟道层上表面接触的第二发射极金属；延伸至N型漂移层内部的栅极金属，且栅极金属与势垒层、沟道层、P型发射区、N型漂移层之间设置有介质层；贯穿衬底、成核层、应力调节层的且延伸至集电区下表面的集电极金属。该晶体管减少了散射效应，提高了器件电子的迁移率。

本发明授权一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有沟槽栅结构的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括： 自下至上依次层叠的衬底1、成核层2、应力调节层3、集电区4、N型缓冲层5、N型漂移层6、P型发射区7、沟道层8和势垒层9，其中，所述集电区4的至少一部分为P型集电区，所述沟道层8和所述势垒层9之间形成二维电子气； 贯穿所述势垒层9、所述沟道层8且与所述P型发射区7接触的第一发射极金属14，所述第一发射极金属14与所述势垒层9、所述沟道层8之间设置有介质层；覆盖所述第一发射极金属14且与所述沟道层8上表面接触的第二发射极金属15； 贯穿所述势垒层9、所述沟道层8、所述P型发射区7且延伸至所述N型漂移层6内部的栅极金属12，且所述栅极金属12与所述势垒层9、所述沟道层8、所述P型发射区7、所述N型漂移层6之间设置有介质层；所述栅极金属12位于相邻的第二发射极金属15之间； 贯穿所述衬底1、所述成核层2、所述应力调节层3的且延伸至所述集电区4下表面的集电极金属19。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。