新存科技(武汉)有限责任公司潘优获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411634212.5，技术领域涉及：G11C11/408；该发明授权存储器是由潘优设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器，存储器包括：存储单元阵列，包括沿第一方向排布的第一边缘区域、连接区域和第二边缘区域，且所述连接区域位于所述第一边缘区和第二边缘区之间；若干沿所述第一方向延伸的驱动线，每一所述驱动线耦接沿所述第一方向排列的一列存储单元，且包括第一端部区、中间区和第二端部区，所述第一端部区与所述第一边缘区域对应，所述中间区与所述连接区域对应，且所述第二端部区与所述第二边缘区域对应；若干沿所述第一方向延伸且与所述驱动线对应的控制线，所述控制线与对应所述驱动线的中间区电连接，且与所述第一端部区和所述第二端部区中的至少一者电连接。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 存储单元阵列，包括沿第一方向排布的第一边缘区域、连接区域和第二边缘区域，且所述连接区域位于所述第一边缘区和第二边缘区之间； 若干沿所述第一方向延伸的驱动线，每一所述驱动线耦接沿所述第一方向排列的一列存储单元，且包括第一端部区、中间区和第二端部区，所述第一端部区与所述第一边缘区域对应，所述中间区与所述连接区域对应，且所述第二端部区与所述第二边缘区域对应； 若干沿所述第一方向延伸且与所述驱动线对应的控制线，所述控制线与对应所述驱动线的中间区电连接，且与所述第一端部区和所述第二端部区中的至少一者电连接，所述控制线的电阻率小于所述驱动线的电阻率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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