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龙图腾网获悉扬州纳力新材料科技有限公司申请的专利一种高强度低延伸率双极集流体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411921228.4，技术领域涉及：H01M4/64；该发明授权一种高强度低延伸率双极集流体及其制备方法是由闫国伟;李学法;张国平设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高强度低延伸率双极集流体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集流体技术领域，具体是一种高强度低延伸率双极集流体及其制备方法。所述高强度低延伸率双极集流体分为五层结构，依次设置包括：铝层、打底层I、聚合物薄膜层、打底层II、铜层。通过对聚合物薄膜I、聚合物薄膜II交联改性处理，再在聚合物薄膜I的一侧表面依次沉积打底层I、铝层以及在聚合物薄膜II一侧表面依次沉积打底层II、铜层，最后通过加热压合将聚合物薄膜I和聚合物薄膜II未沉积处理的另一侧表面粘合制备得到。本发明制备的双极集流体具有优异的拉伸强度、延伸率和热收缩率，且有效避免了单层膜可能产生的贯穿性针孔，基本消除了集流体本身造成的正负极短路问题，具有更好的应用优势。

本发明授权一种高强度低延伸率双极集流体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高强度低延伸率双极集流体的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤： S1：制备单侧铝层-复合集流体： S11.采用物理沉积方法在聚合物薄膜I的一侧表面沉积一层打底层I； S12.采用真空蒸镀的方法在打底层I表面沉积一层铝层，得到单侧铝层-复合集流体； S2：制备单层铜层-复合集流体： S21.采用物理沉积方法在聚合物薄膜II的一侧表面沉积一层打底层II； S22.采用水电镀的方法在打底层II表面沉积一层铜层，得到单侧铜层-复合集流体； S3：将单侧铝层-复合集流体和单侧铜层-复合集流体两者未被沉积处理的另一侧表面相互贴合，经加热压合，得到高强度低延伸率双极集流体； 所述聚合物薄膜I和聚合物薄膜II物理沉积前，均先进行交联改性处理；交联改性处理的方法为：将聚合物薄膜I和或聚合物II浸入交联剂的有机溶液中，于20～60℃下浸泡处理15～90s，取出，烘干，完成交联改性处理； 所述交联剂为低温交联剂，具体包括有机过氧化物类交联剂、多官能团丙烯酸酯类交联剂中的任一种； 所述加热压合的工艺参数为：温度为60～150℃、压强为0.05～0.5MPa、压辊走速为2～5mmin； 所述有机过氧化物类交联剂包括过氧化二异丙苯、二叔丁基过氧化物；所述多官能团丙烯酸酯类交联剂包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯。

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