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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311293454.8，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统是由龚帆;李贝贝;孙超;袁彬;徐伟;霍宗亮设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，先形成包括第一绝缘层和牺牲层的第一堆叠层，第一堆叠层包括在第一方向相邻的核心区、过渡区和连接区，过渡区位于核心区和连接区之间。再形成位于核心区的第一栅线隔离结构和位于过渡区的第二栅线隔离结构。第一栅线隔离结构包括沿第一方向排列的多个第一气隙，以及位于相邻两个第一气隙之间的第一连接部。第二栅线隔离结构包括沿第一方向排列的多个第二气隙，以及位于相邻两个第二气隙之间的第二连接部。其中第二连接部沿第一方向的尺寸大于第一连接部沿第一方向的尺寸，因此通过将过渡区的第二连接部的尺寸增大，可以增大过渡区中填实部分的长度，从而可以改善半导体器件的性能。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括： 形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括交替层叠的第一绝缘层和牺牲层，所述第一堆叠层包括在第一方向相邻的核心区、过渡区和连接区，所述过渡区位于所述核心区和所述连接区之间，所述第一方向与所述第一堆叠层的堆叠方向交叉； 形成位于所述核心区的第一栅线隔离结构和位于所述过渡区的第二栅线隔离结构，所述第一栅线隔离结构包括沿所述第一方向排列的多个第一气隙，以及位于相邻两个所述第一气隙之间的第一连接部；所述第二栅线隔离结构包括沿所述第一方向排列的多个第二气隙，以及位于相邻两个所述第二气隙之间的第二连接部；所述第二连接部沿所述第一方向的尺寸，大于所述第一连接部沿所述第一方向的尺寸； 所述形成位于所述核心区的第一栅线隔离结构和位于所述过渡区的第二栅线隔离结构的步骤，包括：形成沿所述堆叠方向贯穿所述第一堆叠层且沿第一方向间隔排列的孔结构，所述孔结构包括位于所述核心区的第一孔结构和位于所述过渡区的第二孔结构，相邻两个所述第二孔结构的孔间距大于相邻两个所述第一孔结构的孔间距。

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