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昆明理工大学魏奎先获国家专利权

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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种高铁工业硅熔体制备有机硅单体合成用工业硅粉的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119774619B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411927534.9,技术领域涉及:C01B33/037;该发明授权一种高铁工业硅熔体制备有机硅单体合成用工业硅粉的方法是由魏奎先;周磊;邓小聪;马文会设计研发完成,并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高铁工业硅熔体制备有机硅单体合成用工业硅粉的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种高铁工业硅熔体制备有机硅单体合成用工业硅粉的方法,属于工业硅生产技术领域。本发明基于硅熔体炉外精炼后熔体中Fe杂质过高,导致工业硅产品中的高FeSi2含量,以此工业硅为原料合成有机硅单体时二甲基二氯硅烷选择性低等实际问题,通过在硅熔体炉外精炼完成时获取高铁型硅熔体中的主要金属杂质含量后,定量添加合金剂Al以调整硅熔体成分,保温结束后浇注并控制硅熔体凝固的速率,使其形成大量有益的Si8Al6Fe4Ca相,制备出有机硅单体合成用工业硅粉,以提高有机硅单体合成过程的选择性和活性。本发明具备对硅熔体的杂质含量无特殊要求、充分利用和节约能源、基建投资少、工艺流程简单、可操作性高、环境无污染等优点。

本发明授权一种高铁工业硅熔体制备有机硅单体合成用工业硅粉的方法在权利要求书中公布了:1.一种高铁工业硅熔体制备有机硅单体合成用工业硅粉的方法,其特征在于,具体步骤如下: 1高铁型硅熔体炉外精炼完成时快速检测分析得到高铁型硅熔体中的主要金属杂质的含量,其中高铁型硅熔体中Fe与Ca的质量比值>5.56;主要金属杂质包括铁、铝、钙、钛、钒、镍和锰; 2根据高铁型硅熔体中主要金属杂质铁、铝、钙的含量计算出合金剂Al的添加量以调控熔体成分;所述合金剂Al的添加量的计算公式为: ; 式中,mAl添加为需要加入硅熔体的含量;mFe、mCa、mAl则分别为精炼完成后获得的Fe、Ca、Al杂质含量;MFe、MCa、MAl则分别为Fe、Ca、Al的相对分原子质量; 3根据计算的合金剂Al的添加量,将合金剂Al添加至高铁型硅熔体中,在精炼炉中保温精炼使熔体成分均匀,然后将硅熔体进行浇注并控制硅熔体凝固速率,凝固结束后得到析出物相可控的工业硅锭,工业硅锭破碎、制粉即为有机硅单体合成用工业硅粉。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昆明理工大学,其通讯地址为:650093 云南省昆明市五华区学府路253号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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