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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815901B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772495.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由林昭宏;黄仁德设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括半导体层及第一和二假栅结构的半导体结构，半导体层包括位于半导体层上表层的第一和二阱区，第一阱区的上表层形成有位于第一假栅结构相对两侧的第一源和漏结构，第二阱区的上表层形成有位于第二假栅结构相对两侧的第二源和漏结构，第一和二假栅结构分别位于第一和二阱区的上表面；形成覆盖半导体结构上表面的压应力层；去除第一假栅结构并形成第一金属栅结构，去除第二假栅结构并形成第二金属栅结构；形成器件的各电极。本发明通过于半导体结构的上表面形成压应力层，利用压应力层挤压突出于第一阱区上表面的第一源和漏结构部分，提升了器件的通道应力。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一包括半导体层及间隔排列的第一假栅结构和第二假栅结构的半导体结构，所述半导体层包括位于所述半导体层上表层的至少一第一导电类型第一阱区及至少一第二导电类型第二阱区，所述第一阱区的上表层形成有位于所述第一假栅结构相对两侧的第一源结构和第一漏结构，所述第二阱区的上表层形成有位于所述第二假栅结构相对两侧的第二源结构和第二漏结构，所述第一假栅结构和所述第二假栅结构分别位于所述第一阱区和所述第二阱区的上表面，所述第一源结构嵌于所述半导体层的上表层且所述第一源结构的上表面突出于所述第一阱区的上表面，所述第一漏结构嵌于所述第一阱区的上表层且所述第一漏结构的上表面突出于所述第一阱区的上表面，所述第一源结构的材质包括SiGe，所述第一漏结构的材质包括SiGe； 形成覆盖所述半导体结构上表面的压应力层，以通过所述第一源结构、所述第一漏结构及所述压应力层的结合，使所述第一阱区中形成的器件的通道应力增强，且提升所述第一阱区中形成的器件的性能的同时对所述第二阱区形成的器件的性能无影响； 去除所述第一假栅结构并形成第一金属栅结构，去除所述第二假栅结构并形成第二金属栅结构； 形成与所述第一源结构电连接的第一源极、与所述第一漏结构电连接的第一漏极、与所述第二源结构电连接的第二源极、与所述第二漏结构电连接的第二漏极、与所述第一金属栅结构电连接的第一栅极及与所述第二金属栅结构电连接的第二栅极。

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