哈尔滨理工大学曹希峰获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利一种降低壁面能量损失的附加电极陶瓷通道结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119825668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093270.X，技术领域涉及：F03H1/00；该发明授权一种降低壁面能量损失的附加电极陶瓷通道结构是由曹希峰;王艺涵;夏国俊;荣婉婷;赵方舟;王宇航;曾群;麻洪宁;匡仕林设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低壁面能量损失的附加电极陶瓷通道结构在说明书摘要公布了：一种降低壁面能量损失的附加电极陶瓷通道结构，属于霍尔推力器领域，本发明为解决现有霍尔推力器工作时，通道出口位置附近存在大量离子轰击壁面，造成能量损失的问题。本发明方案：陶瓷通道为上开口的环形通道，在通道出口的内环壁面和外环壁面相对位置上分别开设周向切槽，内圈附加金属电极和外圈附加金属电极分别嵌放在两个周向切槽内；每个周向切槽通过两个对称的径向通孔与外界相连通；内电极正导电柱和内电极负导电柱分别插入内环上对称设置的两个径向通孔并与内圈附加金属电极连接；外电极正导电柱和外电极负导电柱分别插入外环上对称设置的两个径向通孔并与外圈附加金属电极连接。
本发明授权一种降低壁面能量损失的附加电极陶瓷通道结构在权利要求书中公布了：1.一种降低壁面能量损失的附加电极陶瓷通道结构，其特征在于，在陶瓷通道出口设置附加金属电极，所述附加金属电极附近形成指向通道正电场，所述指向通道正电场用于抑制离子向壁面运动的电场； 包括陶瓷通道1、内圈附加金属电极2、外圈附加金属电极3、内电极正导电柱4、内电极负导电柱5、外电极正导电柱6和外电极负导电柱7； 陶瓷通道1为上开口的环形通道，在通道出口的内环壁面和外环壁面相对位置上分别开设周向切槽，内圈附加金属电极2和外圈附加金属电极3分别嵌放在两个周向切槽内； 每个周向切槽通过两个对称的径向通孔与外界相连通； 内电极正导电柱4和内电极负导电柱5分别插入内环上对称设置的两个径向通孔并与内圈附加金属电极2连接； 外电极正导电柱6和外电极负导电柱7分别插入外环上对称设置的两个径向通孔并与外圈附加金属电极3连接。
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