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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411842527.9，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、设备及介质是由杨震;王琳;王雷设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、设备及介质；该检测方法可以包括：获取晶圆表面的原始高度分布信息；基于原始高度分布信息获取目标波长范围的形貌波动数据；在形貌波动数据的多个波峰区间中，根据最高峰值以及波峰区间的宽度确定晶圆表面缺陷的位置。

本发明授权一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，包括： 获取晶圆表面的原始高度分布信息； 基于所述原始高度分布信息获取目标波长范围的形貌波动数据； 在所述形貌波动数据的多个波峰区间中，根据最高峰值以及波峰区间的宽度确定晶圆表面缺陷的位置；其中，所述波峰区间为相邻两个拐点之间的波动数据区间，所述波峰区间的宽度为对应的两个拐点之间的距离； 其中，在所述形貌波动数据的多个波峰区间中，根据最高峰值以及波峰区间的宽度确定晶圆表面缺陷的位置，包括： 对于所述形貌波动数据中的每个波峰区间，根据所述波峰区间内的最高峰值以及两个拐点对应的波动值中的最低值确定所述波峰区间是否为待选波峰区间；针对每个待选波峰区间，根据所述待选波峰区间内的最高峰值、两个拐点对应的波动值中的最低值以及所述待选波峰区间的宽度确定所述待选波峰区间是否存在缺陷；针对每个存在缺陷的待选波峰区间，将所述待选波峰区间内的最高峰值所处的位置确定为晶圆表面缺陷的位置； 所述根据所述波峰区间内的最高峰值以及两个拐点对应的波动值中的最低值确定所述波峰区间是否为待选波峰区间，包括： 根据所述波峰区间内的最高峰值与两个拐点对应的波动值中的最低值的差值得到所述波峰区间的峰-谷值；将所述波峰区间的峰-谷值与设定的第一评估阈值进行比较：若所述波峰区间的峰-谷值大于或等于所述第一评估阈值，则确定所述波峰区间为待选波峰区间； 所述根据所述待选波峰区间内的最高峰值、两个拐点对应的波动值中的最低值以及所述待选波峰区间的宽度确定所述待选波峰区间是否存在缺陷，包括： 计算所述待选波峰区间的峰-谷值与所述待选波峰区间的宽度之间的比值；其中，所述待选波峰区间的峰-谷值为所述待选波峰区间内的最高峰值与两个拐点对应的波动值中的最低值的差值；将所述比值与设定的第二评估阈值进行比较：若所述比值大于或等于所述第二评估阈值，则确定所述待选波峰区间存在缺陷；若所述比值小于所述第二评估阈值，则确定所述待选波峰区间内无缺陷。

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