北京工业大学关宝璐获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510168126.8，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法是由关宝璐;石占国;王宏卓;王济生;薛咪;邱翱设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器领域，公开了一种液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，液晶可调谐垂直腔面发射激光器包括：VCSEL单元，VCSEL单元包括第一DBR和位于第一DBR上方的第二DBR；形成于VCSEL单元上侧的周向侧壁，周向侧壁限定液晶腔；反射镜单元，反射镜单元接合于周向侧壁上侧；以及容纳于液晶腔内的液晶；其中，VCSEL单元还包括位于第二DBR上方的耦合层，耦合层的折射率与第一DBR中高折射率层的折射率成第一预设关系，和或耦合层的厚度与波长成第二预设关系。本发明通过引入耦合层结构来提高调谐范围和调谐效率，并利用偏振控制层来控制输出光的偏振方向，还研究了具体可行的电泵浦液晶可调谐VCSEL的制备方法。
本发明授权液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种液晶可调谐垂直腔面发射激光器100，其特征在于，包括： VCSEL单元10，所述VCSEL单元10包括第一DBR13和位于所述第一DBR13上方的第二DBR16； 形成于所述VCSEL单元10上侧的周向侧壁20，所述周向侧壁20限定液晶腔22； 反射镜单元30，所述反射镜单元30接合于所述周向侧壁20上侧；以及 容纳于所述液晶腔22内的液晶40； 其中，所述VCSEL单元10还包括位于所述第二DBR16上方的耦合层17，所述耦合层17的折射率与所述第一DBR13中高折射率层的折射率成第一预设关系，以及所述耦合层17的厚度与波长成第二预设关系； 其中所述第一预设关系包括所述耦合层17的折射率为所述第一DBR13中高折射率层的折射率的平方根，所述第二预设关系包括所述耦合层17的厚度为四分之一波长。
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