电子科技大学覃彩获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于直立型微纳米石墨烯片的可调吸光片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510304075.7，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权一种基于直立型微纳米石墨烯片的可调吸光片及其制备方法是由覃彩;傅文杰;鲁钝;鄢扬设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于直立型微纳米石墨烯片的可调吸光片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光功能纳米材料领域，具体涉及一种基于直立型微纳米石墨烯片的可调吸光片及其制备方法，该方法是通过调整射频等离子体增强化学气相沉积RF‑PECVD设备的生长参数，如温度、时间、气体流量和射频功率，来改变直立型微纳米石墨烯片的微观形貌和尺寸，实现对吸光片吸光性能的调控。本发明的可调吸光片制备过程简单，成本低，且无需催化剂，具有低温制备的特点，其吸光率高达99％以上，双层透明基材夹住直立石墨烯薄膜的构造还保护了石墨烯，使其具备了抗刮花、重复使用的特点。
本发明授权一种基于直立型微纳米石墨烯片的可调吸光片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于直立型微纳米石墨烯片的可调吸光片，包括第一透明基片、第二透明基片、以及形成在第一透明基片和第二透明基片之间的直立型石墨烯层；其特征在于： 所述直立型石墨烯层由若干直立排布的石墨烯纳米片构成，所述石墨烯纳米片沿其生长方向具有渐变层数结构，其中纳米片顶部为单层石墨烯，纳米片中部和底部为多层石墨烯，形成顶薄底厚的三维立体吸光结构； 通过调整直立石墨烯纳米片的生长参数以及后续处理条件，改变所述石墨烯纳米片的微观形貌、高度、厚度、间距及顶部减薄程度，从而实现所述吸光片吸光性能的连续可调。
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