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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于超材料热辐射的红外场景生成装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119984532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510155772.0，技术领域涉及：G01J5/90；该发明授权一种基于超材料热辐射的红外场景生成装置是由任智斌设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于超材料热辐射的红外场景生成装置在说明书摘要公布了：一种基于超材料热辐射的红外场景生成装置，涉及红外场景生成技术领域。由辐射单元阵列组成，每个辐射单元由像元、光纤探头、耦合器及输出光纤组成，像元由宽带超材料热辐射像素一、宽带超材料热辐射像素二、可调谐线状光谱超材料热辐射像素及可调谐窄带超材料热辐射像素组成，四个热辐射像素分别通过光纤探头与耦合器输入端连接，输出光纤与耦合器输出端连接。采用超材料热辐射像素能够更灵活地生成具有精细结构光谱的红外场景，有助于对提升红外成像制导系统的目标识别准确性和抗干扰特性起到促进作用。

本发明授权一种基于超材料热辐射的红外场景生成装置在权利要求书中公布了：1.一种基于超材料热辐射的红外场景生成装置，其特征在于：由N个辐射单元阵列组成，每个所述辐射单元由像元、光纤探头、耦合器及输出光纤组成，所述像元由宽带超材料热辐射像素一、宽带超材料热辐射像素二、可调谐线状光谱超材料热辐射像素及可调谐窄带超材料热辐射像素共四个热辐射像素组成，所述四个热辐射像素分别通过光纤探头与耦合器输入端连接，所述输出光纤与耦合器输出端连接，通过所述宽带超材料热辐射像素一和所述宽带超材料热辐射像素二组合，实现辐射波段在400nm~3500nm均具有0.9以上的发射率，宽带超材料热辐射像素一由钒基底、在其表面一体成型且阵列排布的钒圆柱以及涂覆在其表面的二氧化钛薄膜层构成，钒圆柱阵列的周期为300nm，高度为90nm，二氧化钛薄膜层的厚度为50nm，钒基底在钒圆柱以下的厚度为2mm，钒圆柱的直径为160nm，钒圆柱涂覆二氧化钛薄膜层后所呈圆柱的直径为260nm，宽带超材料热辐射像素二由钒基底、在其表面一体成型且阵列排布的圆柱凹坑以及涂覆在其表面的二氧化钛薄膜层构成，圆柱凹坑阵列的周期为1400nm，深度为560nm，二氧化钛薄膜层的厚度为175nm，钒基底在圆柱凹坑以下的厚度为2mm，圆柱凹坑的直径为1260nm，圆柱凹坑涂覆二氧化钛薄膜层后所呈凹坑的直径为910nm。

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