三星电子株式会社朴瑛琳获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510379978.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由朴瑛琳;安世衡;姜相列;安敞茂;郑圭镐设计研发完成，并于2020-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的着落焊盘；在着落焊盘上并连接到着落焊盘的下电极，该下电极包括外部分和在外部分内部的内部分，该外部分包括第一区域和第二区域；在下电极上以沿着外部分的第一区域延伸的电介质膜；以及在电介质膜上的上电极，其中下电极的外部分包括金属掺杂剂，外部分的第一区域中的金属掺杂剂的浓度不同于外部分的第二区域中的金属掺杂剂的浓度。
本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 在所述衬底上的第一绝缘层； 在所述第一绝缘层中的接触结构； 在所述第一绝缘层上的第二绝缘层； 在所述第二绝缘层上的下电极，所述下电极穿过所述第二绝缘层并接触所述接触结构，并且所述下电极具有包括金属掺杂剂的侧部部分； 在所述衬底上方的第一支撑图案； 在所述下电极上的电介质层；和 在所述电介质层上的上电极， 其中所述下电极的所述侧部部分包括第一侧部部分、第二侧部部分及在所述第一侧部部分和所述第二侧部部分之间的第三侧部部分， 其中所述第二绝缘层接触所述下电极的所述第一侧部部分， 其中所述第一支撑图案接触所述下电极的所述第二侧部部分， 其中所述电介质层接触所述下电极的所述第三侧部部分， 其中所述金属掺杂剂包括不同于所述下电极的材料，以及 其中所述下电极的所述第三侧部部分的所述金属掺杂剂的浓度高于所述下电极的所述第一侧部部分和所述第二侧部部分中至少一个的所述金属掺杂剂的浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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