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龙图腾网获悉华芯半导体科技有限公司;华芯半导体研究院(北京)有限公司申请的专利一种VCSEL芯片金属蚀刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510253525.4，技术领域涉及：C23F1/08；该发明授权一种VCSEL芯片金属蚀刻设备是由王光辉;梁高明;田正如;戴伟;汤秀娟设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL芯片金属蚀刻设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种VCSEL芯片金属蚀刻设备，涉及芯片金属蚀刻设备技术领域。包括主机箱、浸泡池、浸泡组件、升降驱动组件、盖板和吸气格栅，本发明利用升降驱动组件带动浸泡组件上下移动和旋转，从而带动晶圆浸泡或转动。通过扇片环的伸缩，使搅拌扇片在伸出扇叶槽的状态下，可以对蚀刻液进行搅拌，确保晶圆周围的蚀刻液均匀流动，让晶圆表面与蚀刻液的接触更加均匀，防止局部过刻或欠刻；当晶圆进行上料时，搅拌扇片回缩在扇叶槽内，防止晶圆上料时被搅拌扇片阻挡或刮花。通过设置弹簧伸缩杆，利用弹簧伸缩杆自身的收缩，来避免夹持力度过大而造成晶圆损坏，柔性压条采用柔性材料制成，防止其与晶圆之间产生剐蹭，达到对晶圆的双重夹持防护。

本发明授权一种VCSEL芯片金属蚀刻设备在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL芯片金属蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻设备包括主机箱1，所述主机箱1内设有浸泡池2，所述浸泡池2上安装有盖板5，所述主机箱1上安装有升降驱动组件4，所述升降驱动组件4上转动安装有浸泡组件3，所述浸泡组件3与浸泡池2位置对应，所述主机箱1上设有吸气格栅6，所述主机箱1上设有透明挡板，所述主机箱1内安装有输液装置，所述输液装置与浸泡池2连通，所述主机箱1内安装有抽气装置； 所述升降驱动组件4包括第一电动伸缩杆41，所述第一电动伸缩杆41安装在主机箱1上，所述第一电动伸缩杆41输出轴上安装有第一连接件42，所述第一连接件42上安装有驱动电机43； 所述浸泡组件3包括支架组件31，所述支架组件31上安装有若干固定环32，所述固定环32上滑动安装有扇片环34，所述支架组件31上安装有夹持驱动组件33，所述夹持驱动组件33与固定环32滑动连接，所述固定环32上安装有自动控温组件35，所述支架组件31与第一连接件42转动连接，所述支架组件31与驱动电机43输出轴连接。

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