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龙图腾网获悉深圳市原速光电科技有限公司申请的专利一种超黑纳米镀膜结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120143333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510622645.7，技术领域涉及：G02B5/22；该发明授权一种超黑纳米镀膜结构是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超黑纳米镀膜结构在说明书摘要公布了：本发明属于纳米镀膜技术领域，特别是涉及一种超黑纳米镀膜结构，包括基底、采用ALD沉积在所述基底表面的过渡层、采用ALD沉积在所述过渡层表面的吸光层和采用ALD沉积在所述吸光层表面的防腐层。相对于现有技术，本发明采用ALD技术实现低温50‑250℃制作高覆盖率、超低反≤0.5%高吸收效率≥99.00%、结合力较好的基底过渡层增加粘附力吸光层多层干涉膜层防腐蚀层单层或者多层的超黑膜，有效扩大了基底材料的选择范围，解决了现在超黑膜的制作工艺对基底材料有较大限制，难以兼容薄膜的低温控制和高覆盖率、高吸收率的问题。

本发明授权一种超黑纳米镀膜结构在权利要求书中公布了：1.一种超黑纳米镀膜结构，其特征在于：包括基底、采用ALD沉积在所述基底表面的过渡层、采用ALD沉积在所述过渡层表面的吸光层和采用ALD沉积在所述吸光层表面的防腐层； 所述过渡层为有机无机杂化薄膜中的至少一种，所述有机无机杂化薄膜为铝基杂化膜、锌基杂化膜、锆基杂化膜、钛基杂化膜、铪基杂化膜、钒基杂化膜、镁基杂化膜和锰基杂化膜中的至少一种； 所述吸光层包括钛碳化铝层和氧化物层，所述氧化物为SiO2和或Al2O3； 所述吸光层的制备方法为时间型ALD或空间型ALD，其中时间型ALD至少包括以下步骤： 第一步，在50-250℃的原子层沉积腔体中通入第二前驱体，使其化学吸附在过渡层表面；然后通入惰性气体吹扫未反应的第二前驱体和副产物； 第二步，将第二反应物加入腔室内，使其与表面吸附的第二前驱体形成单层生长；然后通入惰性气体吹扫未反应的第二反应物和副产物； 第三步，重复n次第一步和第二步，循环沉积，形成吸光层；n为大于或等于0的自然数； 空间型ALD至少包括如下步骤： 第一步，在50-250℃的原子层沉积腔体中，将第二前驱体和第二反应物先后通过载气和稀释气持续通入腔体，至第二前驱体和第二反应物的反应区域，同时第二前驱体和第二反应物之间通入惰性气体； 第二步，沉积有过渡层的基底依次经过第二前驱体、隔离气、第二反应物和隔离气区域，完成一个循环的沉积； 第三步，重复n次第一步和第二步，循环沉积，形成吸光层；n为大于或等于0的自然数； 其中，载气、稀释气体和惰性气体为氩气或氮气； 第二前驱体为铝源和钛源，其中铝源为三甲基铝、三乙基铝和三氯化铝中的至少一种；钛源为四氯化钛、四二甲氨基钛和钛酸四异丙酯中的至少一种；第二反应物为碳源甲烷等离子体； 本镀膜结构采用ALD技术实现50-250℃制作高覆盖率、反射率≤0.20%、吸收效率≥99.00%的超黑膜。

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