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龙图腾网获悉中天弘宇集成电路有限责任公司申请的专利字线驱动模块、字线译码电路及存储器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120260647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510189931.9，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权字线驱动模块、字线译码电路及存储器芯片是由黄秋钰;孙英;赵梓名;贾珊珊设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本字线驱动模块、字线译码电路及存储器芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种字线驱动模块、字线译码电路及存储器芯片，其中，字线驱动模块包括电压传输单元。电压传输单元包括第一电压传输部和第二电压传输部，第一电压传输部基于第一控制信号和第二控制信号开启或关闭，并在开启时对第一电压信号进行传递并输出，第二电压传输部基于第一控制信号开启或关闭，并在开启时对第二电压信号进行传递并输出，其中，第二电压传输部采用PMOS管实现并在第一控制信号为负向电压时开启。通过本发明解决了现有技术中因电压传输单元采用四个厚栅氧MOS管实现，最终导致存储器芯片成本高、面积大的问题。

本发明授权字线驱动模块、字线译码电路及存储器芯片在权利要求书中公布了：1.一种字线驱动模块，其特征在于，所述字线驱动模块包括： 电压传输单元，包括第一电压传输部和第二电压传输部；所述第一电压传输部基于第一控制信号和第二控制信号开启或关闭，并在开启时对第一电压信号进行传递并输出；所述第二电压传输部基于所述第一控制信号开启或关闭，并在开启时对第二电压信号进行传递并输出； 所述第一电压传输部包括NMOS管和第一PMOS管，所述NMOS管的栅极连接所述第一控制信号，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二控制信号，所述NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的源极并接收所述第一电压信号，所述NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极并作为所述第一电压传输部的输出端； 所述第二电压传输部采用第二PMOS管实现，并在所述第一控制信号为负向电压时开启；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一控制信号，所述第二PMOS管的源极接收所述第二电压信号，所述第二PMOS管的漏极作为所述第二电压传输部的输出端； 其中，所述第一电压传输部的输出端与所述第二电压传输部的输出端相连并作为所述电压传输单元的输出端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中天弘宇集成电路有限责任公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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