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大连理工大学贺高红获国家专利权

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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种利用磁场调控一维材料倾斜排布的混合基质复合膜制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120305844B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510484101.9,技术领域涉及:B01D69/14;该发明授权一种利用磁场调控一维材料倾斜排布的混合基质复合膜制备方法是由贺高红;卫纪临;肖武;姜晓滨;郭飞;董慧鑫设计研发完成,并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

一种利用磁场调控一维材料倾斜排布的混合基质复合膜制备方法在说明书摘要公布了:一种利用磁场调控一维材料倾斜排布的混合基质复合膜制备方法。所述方法通过在埃洛石纳米管HNT上负载四氧化三铁和金属有机骨架ZIF‑8,制备磁性ZIF复合埃洛石纳米管ZMHNT,并将其与聚醚嵌段聚酰胺混合,涂覆在由聚二甲基硅氧烷PDMS覆盖的聚醚砜PES基膜上,同时放置于磁场环境下进行取向调节,制备一维填料倾斜排布的混合基质复合膜。本发明通过在HNT上生长ZIF‑8,通过管口包覆连续ZIF‑8层对CO2和N2进行筛分,并在磁场作用力下使ZMHNT在膜内实现较大倾角及贯穿式排布,克服各向异性,强化气体在ZMHNT中空管内的扩散速度,提升混合基质复合膜的气体分离性能。

本发明授权一种利用磁场调控一维材料倾斜排布的混合基质复合膜制备方法在权利要求书中公布了:1.一种利用磁场调控一维材料倾斜排布的混合基质复合膜制备方法,其特征在于,合成步骤如下: 步骤1、采用埃洛石纳米管HNT为模板,通过氧化共沉淀法在HNT表面负载四氧化三铁,合成磁性埃洛石纳米管MHNT; 步骤2、在MHNT表面包覆聚多巴胺和ZIF-8,得到磁性ZIF复合埃洛石纳米管ZMHNT; 步骤3、将含有ZMHNT和Pebax的混合基质铸膜液涂覆在PDMSPES基膜上,得到混合基质复合膜,采用外界磁场调控方法制备得到填料倾斜排布的混合基质复合膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人大连理工大学,其通讯地址为:116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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