安阳嵩阳光电子材料有限公司杨中华获国家专利权
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龙图腾网获悉安阳嵩阳光电子材料有限公司申请的专利一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120366723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510583742.X，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法是由杨中华;聂新闯;孙亚冰;裴少飞设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法，属于镀膜技术领域，包括以下步骤：1将基材膜卷装入真空镀膜设备腔室内，调节真空镀膜设备腔室内的真空度；2对基材膜卷进行放卷，调节真空镀膜设备腔室内的温度对膜材进行加热除气；3除气完成后直接二次卷绕进行ITO镀膜作业。本发明提供一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法，通过对基材的预处理，实现保证柔性ITO膜电阻的稳定性。
本发明授权一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将基材膜卷装入真空镀膜设备腔室内，调节真空镀膜设备腔室内的真空度； 2对基材膜卷进行放卷，调节真空镀膜设备腔室内的温度对膜材进行加热除气；所述加热除气为分段加热，第一阶段加热的温度为100-120℃，加热时间为5-10min；第二阶段加热的温度为130-150℃，加热时间为5-10min； 3除气完成后直接二次卷绕进行ITO镀膜作业；所述ITO镀膜作业为在保持真空度≤5×10-6mbar条件下，通过磁控溅射法沉积ITO层，溅射功率密度为3-5Wcm2，氩氧流量比控制为40:1~80:1，所述ITO层厚度为80-200nm，沉积完成后进行氮气等离子体辅助退火，退火温度80-120℃，时间30-60s。
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