买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种大口径天线的平面近场快速测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120385859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510555513.7，技术领域涉及：G01R29/10；该发明授权一种大口径天线的平面近场快速测量方法是由吴泽威;张和权;张冉;王丽;刘国;王建勋;罗勇设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大口径天线的平面近场快速测量方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种大口径天线的平面近场快速测量方，涉及天线技术领域。该方法通过大步长均匀采样，获得待测天线辐射近场区若干个采样面的稀疏场幅相信息；同时，对各采样面采样有限条精确的场幅相信息，并通过计算采样点幅值的波动程度得到场分布特征；基于采样面的稀疏场幅相信息和场分布特征，利用分区插值、场分布校准方法，得到各采样面的初始电场；基于平面波谱理论对初始电场进行数值迭代，恢复出各采样面的近场分布，最后通过近远场变换得到天线的远场辐射特性。本发明方法可在大幅缩短测试时间的同时得到天线远场特性中的关键指标，包括归一化方向图主瓣与第一副瓣、3dB波束宽度、副瓣电平和轴比等。

本发明授权一种大口径天线的平面近场快速测量方法在权利要求书中公布了：1.一种大口径天线的平面近场快速测量方法，其特征在于，所述平面近场快速测量方法，包括：通过大步长均匀采样，获得待测天线辐射近场区若干个采样面的稀疏场幅相信息；同时，对各采样面采样有限条精确的场幅相信息，并通过计算采样点幅值的波动程度得到场分布特征；基于采样面的稀疏场幅相信息和场分布特征，利用分区插值、场分布校准方法，得到各采样面的初始电场；基于平面波谱理论对初始电场进行数值迭代，恢复出各采样面的近场分布，最后通过近远场变换得到天线的远场辐射特性； 具体包括如下步骤： 步骤1.在待测天线的近场区，均匀采样若干个面数据、若干条线数据； 步骤1.1.在距口径面不同距离的若干个平面处，以大步长均匀采样近场的幅值和相位数据； 当中心有效场区域占总采样面比例大于70%，则采样步长选择5λ或以上；当中心有效场区域占总采样面比例低于70%，则采样步长选择2-5λ； 若有效场分布连续且数据畸变小，则选择两个采样面；否则，减小采样步长并增加采样面数量； 步骤1.2.根据Nyquist采样定理，在每个采样面分别沿x与y方向均匀采样若干条经过天线单元的线数据； 通过分析所采样的线数据得到采样平面的场分布特征；若中心有效场连续且幅值变化小于5dB，在x和y方向上分别采样对称的3-5条线数据；否则，增加采样线数据的数量，以获取到电场的全局特征； 步骤2.对步骤1.2所采样的线数据计算相邻采样点幅值的波动程度，确定出有效场的范围，作为参考用来校正传播后的场； 步骤3.针对不同区域的场分布特征选取不同的插值策略，得到满足平面波谱传播条件的电场； 步骤4.对步骤3得到的各采样面满足平面波谱传播条件的电场，在x和y方向每隔十条线数据按照重新计算得到有效场的范围；根据参考有效场范围对重新计算得到有效场的范围进行校正，并采用非均匀插值对因插值方法造成有效场偏移的误差数据进行补充，得到校正后的电场； 将采样数据在对应电场位置处进行替换，得到各采样面待恢复的初始电场； 步骤5.基于快速傅里叶变换的平面波谱理论，对各采样面的初始电场进行迭代运算，迭代完成后得到最终的恢复电场； 具体包括如下步骤： 步骤5.1.设定相邻两采样面中，靠近天线口径面的采样面为第一采样面，另一个采样面为第二采样面；由第一采样面的初始电场Ep1传播得到第二个采样面的迭代电场Em2_1； 步骤5.2.对于迭代电场Em2_1按照步骤4所示方法计算有效场范围并校正误差数据；利用步骤1中第二采样面的采样数据在对应位置处进行替换；此时得到了迭代修正后的第二采样面电场Em2； 步骤5.3.由修正后的第二采样面电场Em2传播得到第一采样面的迭代电场Em1_1； 步骤5.4.对于迭代电场Em1_1按照步骤4所示方法计算有效场范围并校正误差数据；利用步骤1中第一采样面的采样数据在对应位置处进行替换；之后，继续传播至第二采样面进行迭代； 步骤5.5.步骤5.1-5.4的两次传播过程作为一次循环，将两次循环第一采样面迭代电场与初始电场的矢量相关系数之差ΔFX作为迭代运算是否终止的判断条件： 若迭代次数达到设定最大迭代次数Q或者矢量相关系数之差ΔFX小于1%，则跳出循环，输出最后一次迭代得到的两采样面的电场，即为最终的恢复电场； 否则，继续进行迭代，直至满足终止条件； 步骤6.利用平面近远场变换由采样面的最终恢复电场得到待测天线的远场辐射特性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。