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龙图腾网获悉深圳市利力中科技有限公司申请的专利掩膜版图形边缘补偿修正方法、系统、介质及计算机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120495136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510595935.7，技术领域涉及：G06T5/77；该发明授权掩膜版图形边缘补偿修正方法、系统、介质及计算机设备是由莫志锋;解宇设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜版图形边缘补偿修正方法、系统、介质及计算机设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体提供了一种掩膜版图形边缘补偿修正方法，包括步骤：构建训练数据集；基于训练数据集对深度学习模型进行训练；获取目标掩膜版设计图形，基于历史缺陷数据库和或光刻成像模型的光学邻近效应修正模拟，确定目标掩膜版设计图形的断路位置坐标集合；将目标掩膜版设计图形及其断路位置坐标集合、光刻机型号参数、光学模型物理约束参数分别输入断路分析模型，输出目标掩膜版设计图形的断路概率分布图及图形边缘修正规则；将目标掩膜版设计图形、断路概率分布图及图形边缘修正规则输入光刻成像模型，生成修正后的掩膜版设计图形。该方法突破传统修正的局限，显著提升掩膜版修正精度，降低芯片生产中的断路风险。

本发明授权掩膜版图形边缘补偿修正方法、系统、介质及计算机设备在权利要求书中公布了：1.一种掩膜版图形边缘补偿修正方法，其特征在于，包括步骤： 构建训练数据集，所述训练数据集包含多组历史掩膜版设计图形及对应的断路位置坐标集合、与每组所述历史掩膜版匹配的光刻机型号参数以及光学模型的物理约束参数； 基于所述训练数据集对深度学习模型进行训练，得到已训练的断路分析模型； 获取目标掩膜版设计图形，基于历史缺陷数据库和或光刻成像模型的光学邻近效应修正模拟，确定目标掩膜版设计图形在硅片曝光后图形边缘可能产生断路的断路位置坐标集合；所述历史缺陷数据库包含有若干掩膜版设计图形的光学邻近效应修正参数，以及若干掩膜版设计图形在光学邻近效应修正时图形边缘出现断路的位置数据； 将目标掩膜版设计图形及其对应的断路位置坐标集合、对应的光刻机型号参数、对应的光学模型物理约束参数分别输入已训练的断路分析模型，输出目标掩膜版设计图形在硅片曝光后的断路概率分布图及对应的图形边缘修正规则； 将所述目标掩膜版设计图形、断路概率分布图及图形边缘修正规则输入光刻成像模型，生成修正后的掩膜版设计图形。

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