新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司李建平获国家专利权
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龙图腾网获悉新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储系统的操作方法以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120496603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510563772.4，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储系统的操作方法以及存储系统是由李建平;孙晓军;刘峻设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储系统的操作方法以及存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储系统的操作方法，包括：接收数据的逻辑地址；依据所述逻辑地址，选择映射于存储器的存储阵列中的存储块；以及依据所述逻辑地址，选择映射于受选存储块内的实际存储单元。所述逻辑地址设置为包括用于选取所述存储块的块地址，以及用于选取所述实际存储单元的单元地址，各所述存储块对应于一个所述块地址，各所述存储单元对应于一个所述单元地址。通过本申请所示方法与系统，不仅可以将偏压所致的漂移影响减小，有助于减小偏压漂移造成的问题，从而可以支持更长的上电数据维持时间，并能简化读写电路、测试分析复杂度，以及系统管理复杂度。
本发明授权存储系统的操作方法以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种存储系统的操作方法，所述存储系统包括存储器，所述存储器包括存储阵列，其特征在于，所述操作方法包括： 接收数据的逻辑地址，所述逻辑地址包括块地址以及单元地址； 依据所述逻辑地址，选择设置于所述存储阵列内的多个存储块中映射于所述块地址的受选存储块，以及所述受选存储块内映射于所述单元地址的受选存储单元，各所述多个存储块包括多个排布在所述存储阵列的局部连续相邻行线与局部连续相邻列线中矩阵排列的存储单元，所述多个存储单元的行列排序分别对应于所述逻辑地址的连续增址序；以及 对各所述受选存储单元进行读写施压，其中，并对于在同一所述存储块内的各所述受选存储单元进行同一读写施压条件，对于在不同所述存储块的所述受选存储单元，依据各所述存储块距离所述存储器的驱动器的线路距离，进行不同的读写施压条件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京市北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼3层305-5；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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