新存科技(武汉)有限责任公司周光乐获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利相变存储器的自适应控制方法、相变存储器、介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120496614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510598000.4，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权相变存储器的自适应控制方法、相变存储器、介质及电子设备是由周光乐;杨海波;刘峻设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器的自适应控制方法、相变存储器、介质及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种相变存储器的自适应控制方法、相变存储器、存储介质及电子设备，属于半导体技术领域，该方法包括在最小写入到读取时间间隔内，向存储单元写入全0数据模式；对写入全0数据模式的存储单元执行读取操作，获得检测数据；根据检测数据，获取至少一个存储阵列误码率指标；基于误码率指标与预设阈值的比较结果，在预配置的电压档位集合中选择目标电压档位，以调整存储单元的读取电压至对应的读取电压档位。本申请通过最小写入到读取间隔下的全0模式快速检测与误码率全局评估，实现了读取电压的自适应精准校准，在保证测试效率的同时显著提升存储器的可靠性和耐久性。
本发明授权相变存储器的自适应控制方法、相变存储器、介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器的自适应控制方法，所述相变存储器包括至少一个存储阵列，所述存储阵列包括若干存储单元，其特征在于，包括： 在最小写入到读取时间间隔内，向所述存储单元写入全0数据模式； 对所述写入全0数据模式的所述存储单元执行读取操作，获得检测数据； 根据所述检测数据，获取所述至少一个存储阵列的误码率指标，其中，所述误码率指标包括误码率和故障位计数； 基于所述误码率指标与预设阈值的比较结果，在预配置的电压档位集合中选择目标电压档位，以调整所述存储单元的读取电压至对应的读取电压档位。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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