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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法、装置及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120562196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510675554.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法、装置及系统是由王智强;满春阳;周逸敏;孔武斌;姚永刚设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法、装置及系统在说明书摘要公布了：本发明属于变换器散热技术领域，公开了一种SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法，本发明可以将温度均匀性作为优化目标添加到多目标优化设计中，与压降、热阻组成三维多目标优化设计方法。最终的优化结果是，沿着热积累方向具有不同的直径、横向间距和纵向间距的Pin‑Fin散热结构应用到微通道就是不同的通道宽度、深度和间距，其它散热结构可以以此类比，这样的结构可以使得对应的芯片有不同的结流热阻，从而补偿由流体热积累导致的芯片温度不均匀。可以有效提高散热系统的工作效率，同时可以有效地降低电力电子变换器的温度不均匀性。

本发明授权SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法、装置及系统在权利要求书中公布了：1.一种SiC电力电子变换器功率模块Pin-Fin散热结构，其包括： 功率半导体模块，所述功率半导体模块是中高压大电流模块； 多相功率半导体模块，所述多相功率半导体模块设置有多个半桥芯片； Pin-Fin散热底板，设置于所述多相功率半导体模块下方，所述Pin-Fin散热底板包括多个区域划分的针柱阵列，每一针柱阵列包括多个均匀或非均匀排布的柱状散热结构； 水冷板，设置于所述Pin-Fin散热底板下方，所述水冷板具有与所述针柱阵列一一对应的流道台阶区段，所述台阶区段的高度与对应针柱阵列的针柱高度相匹配； 密封结构，设置于所述Pin-Fin散热底板与所述水冷板之间的密封槽中； 接口件，用于连接流体进口与出口； 应用所述SiC电力电子变换器功率模块Pin-Fin散热结构的SiC电力电子变换器散热系统多目标热优化方法，包括以下步骤： 步骤1，根据三个半桥1、2、3上芯片的分布，将Pin-Fin散热器的针柱部分划分为三个部分6、7、8，分别对应三个优化区域1、2、3； 步骤2，对Pin-Fin散热器还有液冷流道的关键结构参数进行提取； 步骤3，对上述各关键结构参数的优化范围进行确定，需要考虑制备工艺对这些参数的最小和最大限制，结合仿真和经验，对明显无效的取值范围进行剔除； 步骤4，采用多目标优化算法结合有限元仿真的方法对上述多目标问题进行求解； 所述关键结构参数： 针柱的高度Hpi、针柱间的垂直距离Dvi、针柱间的水平距离Dhi、针柱的半径Ri以及流道的深度Hci； 针柱高度和流道深度协同优化。

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