苏州镓锐芯光科技有限公司李增成获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州镓锐芯光科技有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511524732.5，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李增成;刘治;黄思溢;李方直;吴思设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括第一半导体接触层、第二半导体接触层和第一电极层；其中，第一半导体接触层的第一表面包括多个连接的台阶面，台阶面包括连接的主表面和连接面；一个台阶面的主表面与相邻的台阶面的连接面连接；其中，第二半导体接触层与主表面接触，第二半导体接触层中具有位于主表面上方的纳米槽；纳米槽位于一个台阶面的主表面和另一个台阶面的连接面围成的拐角处；其中，第一电极层位于第二半导体接触层背离第一半导体接触层的一侧且延伸至纳米槽中。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括第一半导体接触层、第二半导体接触层和第一电极层； 其中，所述第一半导体接触层的第一表面包括多个连接的台阶面，所述台阶面包括连接的主表面和连接面；一个所述台阶面的主表面与相邻的所述台阶面的连接面连接； 其中，所述第二半导体接触层与所述主表面接触，所述第二半导体接触层中具有位于所述主表面上方的纳米槽；所述纳米槽位于一个所述台阶面的主表面和另一个所述台阶面的连接面围成的拐角处； 其中，所述第一电极层位于所述第二半导体接触层背离所述第一半导体接触层的一侧且延伸至所述纳米槽中。
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