买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511555123.6，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺是由周靖;布勇浩;叶韬;邓杰;宁珺;郭雪玲;王若文;石梦碟;章雨婕;黄俊伟;何晓飞;陈效双;陆卫设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及偏振探测器技术领域，具体涉及基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺。为了解决“在保持偏振探测器结构简单的前提下，在宽波长范围内难以实现超高偏振分辨能力和高灵敏度兼顾”的技术问题。技术方案：超高消光比红外偏振探测器包括局域栅极层设置于底部衬底层上方；电介质层设置于局域栅极层上方；源电极或漏电极层设置于电介质层上方，另一电极层设置于底部衬底层上方；源电极层和漏电极层上方设置二维材料层；电介质层材料与底部衬底层材料的束缚态数目有差异；二维材料层为各向异性材料；二维材料层的一部分与底部衬底层接触，另一部分与电介质层接触。

本发明授权基于各向异性光门控操控的红外偏振探测器及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.基于各向异性光门控操控的超高消光比红外偏振探测器，其特征在于，包括底部衬底层1、局域栅极层2、电介质层3、源电极层4-1、漏电极层4-2、二维材料层5；局域栅极层2设置于底部衬底层1上方；电介质层3设置于局域栅极层2上方；源电极层4-1或漏电极层4-2设置于电介质层3上方，源电极层4-1或漏电极层4-2中的另外一个电极层设置于底部衬底层1上方； 源电极层4-1和漏电极层4-2上方设置二维材料层5，二维材料层5分别连接至源电极层4-1和漏电极层4-2；或，二维材料层5设置于电介质层3和底部衬底层1上方，源电极层4-1和漏电极层4-2设置于二维材料层5上方； 电介质层3材料与底部衬底层1材料的束缚态数目有差异；二维材料层5为各向异性材料；二维材料层5的一部分与底部衬底层1接触，另一部分与电介质层3接触； 局域栅极层2是一层厚度为h1的导电性的材料；局域栅极层2在水平方向上具有宽度d1； 电介质层3在水平方向上具有宽度d2，该宽度d2比局域栅极层2的宽度d1多0-10μm，电介质层3与局域栅极层2的中心在水平方向上重合； 二维材料层为BP材料，电介质层材料为hBN，底部衬底层采用SiO2； 二维材料层BP在水平方向上有两种接触界面：一侧是含有束缚态的底部衬底层SiO2，另一侧为几乎不存在束缚态的电介质层材料hBN，形成BPhBN-BPSiO2同质结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海技术物理研究所，其通讯地址为：200083 上海市虹口区中山北一路420号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。