买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种电流倍增型多晶硅发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511534787.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种电流倍增型多晶硅发光器件是由范洋;徐开凯设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流倍增型多晶硅发光器件在说明书摘要公布了：本发明属于光电传感以及光通信领域，涉及硅基发光器件，具体提供一种电流倍增型多晶硅发光器件，用以解决现有硅基发光器件存在的发光效率低的问题；本发明包括：衬底层、多晶硅层、封装层、金属正极与金属负极，多晶硅层生长于衬底层上，并通过掺杂形成从左至右依次设置的P1区、N1区、Nx区、Px区、P2区与N2区；一方面，通过发光器件的结构优化，在反偏二极管发光的基础上，引入额外的倍增电流，对发光器件的雪崩击穿过程进行加速；另一方面，优化PN结空间电荷区的掺杂浓度梯度，使得电场在空间电荷区形成电场尖峰，有利于高能载流子在空间电荷区的形成；两种机理最终使得器件的发光效率显著提升。

本发明授权一种电流倍增型多晶硅发光器件在权利要求书中公布了：1.一种电流倍增型多晶硅发光器件，包括：衬底层、多晶硅层、封装层、金属正极与金属负极；其特征在于，多晶硅层生长于衬底层上，并通过掺杂形成从左至右依次设置的P1区、N1区、Nx区、Px区、P2区与N2区，P1区、Px区与P2区为P型掺杂区域，N1区、Nx区与N2区为N型掺杂区域；封装层覆盖于多晶硅层上，金属正极与金属负极分别设置于封装层上，金属正极通过金属通孔分别连接P1区与N1区，金属负极通过金属通孔分别连接P2区与N2区； 于俯视图中，所述Nx区与Px区采用相同尺寸的矩形结构，所述P1区、N1区、P2区与N2区采用相同尺寸的直角梯形结构；所述P1区正向设置，所述N1区倒向设置，且P1区与N1区沿斜腰拼接形成矩形结构；所述P2区倒向设置，所述N2区正向设置，且P2区与N2区同样沿斜腰拼接形成矩形结构； 所述金属正极沿P1区的上底设置，所述金属负极沿N2区的上底设置； 所述Nx区、Px区域的掺杂浓度呈梯度分布，由Nx区与Px区的界面处向两侧线性递减。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。