合肥晶合集成电路股份有限公司刘凯获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511652165.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及其制造方法是由刘凯;王维安设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括第一区域和第二区域，所述第二区域多个晶体管，每个所述晶体管包括：半导体层和源区、漏区，所述源区和漏区位于所述半导体层中且靠近表面；第二栅介质层，位于所述半导体层的表面上；栅极导体，位于所述第二栅介质层上；第二侧墙，位于所述栅极导体侧表面的所述第二栅介质层上；以及多个导电通道，分别与所述源区漏区、所述栅极导体和所述第二侧墙连接以作为引出结构，其中，所述第二侧墙包括场板，所述场板的导电通道与所述漏区的导电通道连接。本申请不增加沟道导通电阻的同时进一步提高器件的耐压。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括第一区域和第二区域，所述第二区域包括多个晶体管，每个所述晶体管包括： 半导体层和源区、漏区，所述源区和漏区位于所述半导体层中且靠近表面； 第二栅介质层，位于所述半导体层的表面上； 栅极导体，位于所述第二栅介质层上； 第二侧墙，位于所述栅极导体侧表面的所述第二栅介质层上，所述第二侧墙为包括氧化物-氮化物-多晶硅的至少三层结构；以及 多个导电通道，分别与所述源区漏区、所述栅极导体和所述第二侧墙连接以作为引出结构， 其中，所述第二侧墙中的所述多晶硅层为场板，所述场板的导电通道与所述漏区的导电通道连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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